[发明专利]超高压场效应管子电路模型建模方法

权利要求书

1.一种超高压场效应管子电路模型建模方法，其特征在于包括：

在原超高压场效应管子电路模型加入利用串联的旁路电阻和旁路电压源构成旁路电路，以形成更新的子电路模型；其中旁路电压源为电压控制电压源，旁路电阻一端连接至旁路电压源而且另一端接地；旁路电压源一端连接至旁路电阻，而且另一端作为旁路节点；其中原超高压场效应管子电路模型包括晶体管、与所述晶体管漏端连接的漏端寄生电阻和与所述晶体管源端连接的源端寄生电阻；

以旁路节点的电压对漏端寄生电阻的电阻值进行修正。

2.根据权利要求1所述的超高压场效应管子电路模型建模方法，其特征在于，原超高压场效应管子电路模型中漏端寄生电阻的电阻电压公式为如下所示的第一公式：

r1＝rds*(1+vv1*abs(v(d,s))+vv2*v(d,s)*v(d,s))

其中rds为漏端寄生电阻估值，vv1、vv2为电压人为修正系数，v(d,s)为LDMOS源漏端电流，abs为SPICE仿真器内自带的绝对值函数。

3.根据权利要求2所述的超高压场效应管子电路模型建模方法，其特征在于，旁路节点的电压V(nvd,0)的电压为如下所示的第二公式：

v(nvd,0)＝'deltaV1-(deltaV2/(ec1/(abs(v(d,s)**a))+ec2*(abs(v(d,s))**b))**exp)'

其中，旁路电压源ec1f受V(d,s)控制，电压V(nvd,0)为v(d,s)数值构成的函数；deltaV1、deltaV2、ec1、ec2、a、b、exp7为修正系数，其中deltaV1、deltaV2、ec1、ec2为数学修正系数，a、b、exp为指数修正系数。

4.根据权利要求3所述的超高压场效应管子电路模型建模方法，其特征在于还包括：

将所述第二公式代入所述第一公式得到如下修改公式：

r1＝rds*(1.0+vr1*v(nvd,0)+vr2*v(nvd,0)*v(nvd,0))*(1+vv1*abs(v(d,s)))

其中vr1、vr2为调节电流电压准饱和区幅度的修正系数。

5.根据权利要求4所述的超高压场效应管子电路模型建模方法，其特征在于还包括：

将针对超高压场效应管的实测数据与更新的子电路模型的仿真结果进行比对，通过调整参数deltaV1、deltaV2、ec1、ec2、a、b、exp、vr1、vr2，获得拟合结果。

6.根据权利要求5所述的超高压场效应管子电路模型建模方法，其特征在于，所述实测数据是在源漏电压介于0到40V的情况下测得的实测数据。

7.根据权利要求5所述的超高压场效应管子电路模型建模方法，其特征在于，针对拟合结果，将源漏电压延展到500V，检查其漏极电流的变化趋势。

8.根据权利要求1或2所述的超高压场效应管子电路模型建模方法，其特征在于，利用模型参数提取工具来将针对超高压场效应管的实测数据与更新的子电路模型的仿真结果进行比对。