[发明专利]用于半导体衬底热控制的缓冲站及传送半导体衬底的方法

说明书

技术领域

本发明涉及缓冲站，更具体而言，涉及用于在模块化半导体衬底 处理系统的真空传送模块之间穿过其中进行传送的半导体衬底的热控制的缓 冲站。

背景技术

不同类型的工具用于在半导体衬底处理系统内在半导体衬底(即 晶片)处理期间执行数百个处理操作。这些操作中的大多数是在半导体衬底 处理系统的真空室(即，处理室)内在非常低的压力下进行。其他操作是在 过滤空气或惰性气体的受控环境内在大气压下进行。半导体衬底被利用半导 体衬底处理系统引入到处理室，该半导体衬底处理系统被机械地耦合到相应 的处理室。半导体衬底处理系统从工厂地面传送衬底到处理室。

半导体衬底处理系统可以包括例如设备前端模块(EFEM)、装 载锁以及真空传送模块，该设备前端模块能操作以从正面开口标准箱 (FOUP)传送衬底到半导体衬底处理系统用于处理并且将衬底带回到 FOUP，所述装载锁将半导体衬底从大气条件带至非常低的压力条件下(例 如，真空条件)并返回到大气条件，所述真空传送模块能操作以传送半导体 衬底往来于半导体衬底装载锁和半导体衬底处理模块，该半导体衬底处理模 块与真空传送模块成操作关系。半导体衬底处理系统可包括机械手以将衬底 传送到半导体衬底处理系统中的不同位置。吞吐量(即，在一时间段内处理 的衬底数量)是受以下影响：衬底处理时间、在给定时间进行处理的衬底数 量以及引入衬底进入真空室内的步骤时序。因此，需要增加吞吐量的改进的 方法和装置。

发明内容

本发明公开了一种用于热控制模块化半导体衬底处理系统内的穿 过其内被传送的半导体衬底的缓冲站。所述缓冲站配置成与所述模块化半导 体衬底处理系统的第一真空传送模块和第二真空传送模块连接，从而允许半 导体衬底在它们之间被传送。所述缓冲站包括：第一真空传送模块接口，其 配置成允许一个或多个半导体衬底在真空压下在所述第一真空传送模块和所 述缓冲站之间被传送。第二真空传送模块接口配置成允许一个或多个半导体 衬底在真空压下在所述第二真空传送模块和所述缓冲站之间被传送。在所述 第一真空传送模块接口和所述第二真空传送模块接口之间的至少一个缓冲室 包括：下基座，其配置成从所述第一真空传送模块或所述第二真空传送模块 接收半导体衬底在其支撑表面上。所述下基座能操作以在其上所接收的所述 半导体衬底上执行加热或冷却操作。在所述下基座上方的一个或多个半导体 衬底存储支架各自配置成从所述第一真空传送模块或所述第二真空传送模块 接收半导体衬底，其中每个半导体衬底存储支架能操作以在其上存储相应的 半导体衬底。

本发明还公开了一种包括用于热控制穿过其内传送的半导体衬底 的缓冲站的模块化半导体衬底处理系统。所述模块化半导体衬底处理系统包 括：第一真空传送模块；第二真空传送模块；以及缓冲站，其与所述第一真 空传送模块和所述第二真空传送模块连接，从而允许半导体衬底在它们之间 被传送。所述缓冲站包括：第一真空传送模块接口，其能操作以允许一个或 多个半导体衬底在真空压下在所述第一真空传送模块和所述缓冲站之间被传 送；以及第二真空传送模块接口，其能操作以允许一个或多个半导体衬底在 真空压下在所述第二真空传送模块和所述缓冲站之间被传送。在所述第一真 空传送模块接口和所述第二真空传送模块接口之间的至少一个缓冲室包括： 下基座，其能操作以从所述第一真空传送模块或所述第二真空传送模块接收 半导体衬底在其支撑表面上。所述下基座能操作以在其上所接收的所述半导 体衬底上执行加热或冷却操作。在所述下基座上方的一个或多个半导体衬底 存储支架各自能操作以从所述第一真空传送模块或所述第二真空传送模块接 收半导体衬底，其中每个半导体衬底存储支架能操作以在其上存储相应的半 导体衬底。

一种通过缓冲站在模块化半导体衬底处理系统的第一真空传送 模块和第二真空传送模块之间传送半导体衬底的方法。所述方法包括：通过 第一真空传送模块接口从第一真空传送模块传送半导体衬底到所述缓冲站的 第一缓冲室内。将所述半导体衬底支撑在所述第一缓冲室内配置的下基座的 支撑表面上，其中在支撑在所述下基座的所述支撑表面上的半导体衬底上执 行加热或冷却操作。通过所述缓冲站的第二真空传送模块接口从所述第一缓 冲室的所述下基座传送所述半导体衬底到第二真空传送模块。

附图说明

图1A和1B示出了根据本文所公开的实施例的缓冲站的横截面。