[发明专利]一种提高长白落叶松体细胞胚发生和植株再生效率的过渡培养基及培养方法在审

专利信息
申请号: 201510697459.6 申请日: 2015-10-23
公开(公告)号: CN105409767A 公开(公告)日: 2016-03-23
发明(设计)人: 李淑娟;宋跃;张含国;严善春 申请(专利权)人: 东北林业大学
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00;C12N5/04
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 侯静
地址: 150040 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 落叶松 体细胞 发生 植株 再生 效率 过渡 培养基 培养 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种提高落叶松体细胞胚发生和植株再生效率的培养基及培养方法。

背景技术

长白落叶松属于松科中的落叶松亚科落叶松属,具有分布广、抗逆性强及早期速生等优点,为北半球温带山区与寒带气候条件下重要的速生用材树种。长白落叶松有很高的生态价值与经济价值,但是长白落叶松生长周期长,扦插等无性繁殖存在生根率较低等问题,且长白落叶松具有杂合性高的特点,有性生殖产生的子代变异较大,很多优良性状难以维持,通过传统的育种方法并不能很好的满足许多遗传改良的需求,所以利用如细胞工程等现代生物技术手段,建立稳定且高效的长白落叶松体细胞胚胎发生体系对于长白落叶松的遗传育种具有重要而深远的意义。

对于建立植物体细胞胚胎发生体系而言,最关键的环节在于如何快速获得大量优质的体细胞胚胎。现阶段,关于体胚发生阶段,长白落叶松的体细胞胚胎发生存在许多问题,主要是胚性愈伤组织质量差、高频的体胚发生需使用昂贵的设备进行液体同步化培养、胚性愈伤体胚发生能力差、体胚发生所需周期长、早期原胚的子叶及根原基发育不正常。通常落叶松胚性愈伤组织体细胞胚的发生量不超30个/g,且发生需要80天以上。即便是较好的体系,子叶胚的发生也需40-60天;体胚的萌发率不超过70%;植株再生率也在30%以下。

发明内容

本发明是要解决现有长白落叶松体细胞胚胎发生体系中高频的体胚发生需要使用昂贵的设备进行液体同步化培养、子叶胚发生频率普遍不高且所需周期长、体胚萌发率及植株再生率低的问题,提供一种提高长白落叶松体细胞胚发生和植株再生效率的过渡培养基及培养方法。

本发明提高长白落叶松体细胞胚发生和植株再生效率的过渡培养基,包括以下组分:

其中蔗糖的优选浓度为60g/L,肌醇的优选浓度为10g/L,Gln的优选浓度为0.5g/L,水解酪蛋白的优选浓度为0.25g/L。

为保证愈伤组织的正常生长代谢,培养基中还应含有2mg/LCly,1mg/LVB1,0.5mg/LVB5及0.5mg/LVB6。

利用上述培养基进行培养的方法为:将长白落叶松胚性愈伤组织接种于上述培养基中,于22-25℃、暗培养条件下培养7-21d,其中优选培养时间为14天。

本发明的有益效果:

本发明通过在体胚诱导前对胚性愈伤组织进行的过渡培养,提高了长白落叶松高质量体胚发生量,缩短了体胚发生时间,从而改善了长白落叶松体胚发生效率,在此基础上显著提高了体胚萌发率及生根率。通过过渡培养,仅15天即可获得子叶期的体胚,其发生数量最多可以达330个/g,体细胞胚的萌发率约为100%,生根率可达50%。

附图说明

图1为长白落叶松胚性愈伤组织;

图2为长白落叶松体细胞胚胎发生;

图3为长白落叶松体细胞胚胎的萌发;

图4为长白落叶松体细胞胚胎的生根;

图5为长白落叶松体细胞胚胎的植株再生。

具体实施方式

本发明技术方案不局限于以下所列举具体实施方式,还包括各具体实施方式间的任意组合。

具体实施方式一:本实施方式提高长白落叶松体细胞胚发生和植株再生效率的过渡培养基,包括以下组分:

具体实施方式二:本实施方式与具体实施方式一不同的是:所述蔗糖的浓度为30-60g/L。其它与具体实施方式一相同。

具体实施方式三:本实施方式与具体实施方式一或二不同的是:所述肌醇的浓度为1-10g/L。其它与具体实施方式一或二相同。

具体实施方式四:本实施方式与具体实施方式一至三之一不同的是:所述Gln的浓度为0.5-1g/L。其它与具体实施方式一至三之一相同。

具体实施方式五:本实施方式与具体实施方式一至四之一不同的是:所述水解酪蛋白的浓度为0.25-0.5g/L。其它与具体实施方式一至四之一相同。

具体实施方式六:本实施方式与具体实施方式一至五之一不同的是:所述培养基中还含有2mg/LCly,1mg/LVB1,0.5mg/LVB5和0.5mg/LVB6。其它与具体实施方式一至五之一相同。

具体实施方式七:本实施方式利用提高长白落叶松体细胞胚发生和植株再生效率的过渡培养基进行培养的方法为:

将长白落叶松胚性愈伤组织接种于提高长白落叶松体细胞胚发生和植株再生效率的过渡培养基中,于22-25℃、暗培养条件下培养1-28d。

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