[发明专利]膨胀式热等离子沉积系统在审

专利信息
申请号: 201510697585.1 申请日: 2005-03-08
公开(公告)号: CN105296965A 公开(公告)日: 2016-02-03
发明(设计)人: C·D·亚科万格洛;T·米巴赫;M·W·梅塞德斯;S·M·加斯沃思;M·R·哈格 申请(专利权)人: 埃克阿泰克有限责任公司
主分类号: C23C16/513 分类号: C23C16/513
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 柳冀
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 膨胀 等离子 沉积 系统
【权利要求书】:

1.以总体上均匀的性能涂覆大面积基材的系统,包括:

基材位于其中的淀积室,所述腔室维持在负压下;

与所述淀积室连接的两个或多个膨胀式热等离子源,每个膨胀式热等离子源包括具有孔的阳极,所述膨胀式热等离子源产生具有中心轴的等离子流;和

至少一个注射器,它与所述膨胀式热等离子源分离并将蒸发反应试剂注射到所述等离子中以形成沉积在所述基材上的涂层,所述反应试剂的注射位于距所述膨胀式热等离子源的阳极规定的距离内;其中所述蒸发反应试剂通过位于距所述膨胀式热等离子源的孔为0.1到4英寸半径内的注射孔注射;

其中所述注射器是具有许多孔的集流环(ringmanifold)、具有许多孔的跑道式集管(racetrackmanifold)、或具有许多孔的直管式集管。

2.权利要求1的系统,其中通过注射器孔注射蒸发的反应试剂,所述注射器孔位于距所述膨胀式热等离子源的孔相距0.1到2英寸的范围内。

3.权利要求1的系统,其中所述系统包括位于淀积室上游的两个或多个加热器。

4.权利要求1的系统,其中所述两个或多个膨胀式热等离子源位于淀积室的相对侧上。

5.权利要求1的系统,其中所述注射器是所述集流环。

6.权利要求1的系统,其中所述注射器是所述跑道式集管。

7.权利要求1的系统,其中所述注射器是所述直管式集管。

8.权利要求1的系统,其中所述两个或多个膨胀式热等离子源相距大约6英寸。

9.权利要求1的系统,进一步包括位于所述淀积室下游的第二淀积室。

10.权利要求1的系统,进一步包括位于所述淀积室和第二淀积室之间的中间加热器。

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