[发明专利]一种自感知工作点的电磁超声检测方法及装置有效
申请号: | 201510698783.X | 申请日: | 2015-10-23 |
公开(公告)号: | CN105223266B | 公开(公告)日: | 2018-08-03 |
发明(设计)人: | 武新军;从明;汪玉刚 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G01N27/72 | 分类号: | G01N27/72;G01N29/34 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 感知 工作 电磁 超声 检测 方法 装置 | ||
1.一种自感知工作点的电磁超声检测方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:
S1、将线圈放置于被检构件上方,向线圈输入正弦脉冲电流产生交变磁场,将永久磁铁放置于线圈上方形成静态磁场,在静态磁场和交变磁场环境共同作用下,构件被激励超声导波信号;
S2、由小到大逐步调节永久磁铁与被检构件之间的提离,在不同提离下采集超声导波信号并转换为相应的检测信号,并确定所述检测信号的首个非电磁脉冲信号峰峰值;同时采集不同提离下表征磁场强度的电压;
S3、确定首个非电磁脉冲信号峰峰值的最大值,将该最大值对应的提离作为基准工作提离,寻找与该基准工作提离邻近的提离作为工作提离,工作提离对应的首个非电磁脉冲信号峰峰值与所述最大值在预定的差值范围内;
S4、在基准工作提离与工作提离中确定最小提离和最大提离所对应的电压,并分别作为最佳工作电压区间的下限值和上限值,由此生成最佳工作电压区间,根据所述最佳工作电压区间调节电磁超声检测工作点。
2.如权利要求1所述的自感知工作点的电磁超声检测方法,其特征在于,所述步骤S2中,在不同提离下通过霍尔元件采集表征磁场强度的电压,霍尔元件位于距永久磁铁表面距离为1mm-5mm处。
3.一种用于实现如权利要求1或2所述检测方法的自感知工作点的电磁超声检测装置,其特征在于,所述装置包括自感知电磁超声传感器、电磁超声检测仪和磁场测量单元;
自感知电磁超声传感器包括激励线圈、永久磁铁、接收线圈、电压采集模块和提离调节机构;所述激励线圈,放置在被检构件上方,用于在输入的正弦脉冲电流作用下产生交变磁场;永久磁铁,沿极化方向放置于激励线圈上方,用于产生静态磁场,与所述交变磁场共同作用激励构件产生超声导波信号;接收线圈,放置在被检构件上方,用于在所述超声导波信号的作用下感应电压变化生成电信号;电压采集模块,用于在不同提离下采集表征磁场强度的电压;提离调节机构,用于调节永久磁铁与被检构件之间的提离;
电磁超声检测仪,用于向所述激励线圈输入正弦脉冲电流;同时对接收线圈生成的电信号滤波、放大,并进行A/D转换生成检测信号;
磁场测量单元,用于确定检测信号的首个非电磁脉冲信号峰峰值的最大值,将该最大值对应的提离作为基准工作提离,寻找与该基准工作提离邻近的提离作为工作提离,工作提离对应的首个非电磁脉冲信号峰峰值与所述最大值在预定的差值范围内;还用于显示所述不同提离下表征磁场强度的电压,在基准工作提离与工作提离中确定最小提离和最大提离所对应的电压,并分别作为最佳工作电压区间的下限值和上限值,由此生成最佳工作电压区间,根据所述最佳工作电压区间调节自感知电磁超声传感器检测工作点。
4.如权利要求3所述的自感知工作点的电磁超声检测装置,其特征在于,所述电压采集模块为霍尔元件,霍尔元件位于距永久磁铁表面距离为1mm-5mm。
5.如权利要求3所述的自感知工作点的电磁超声检测装置,其特征在于,所述提离调节机构包括:
中空外壳;
与所述中空外壳中心同轴安装的中空内壳,所述永久磁铁同轴布置在中空内壳中,通过固定在中空内壳上的磁铁定位板实现轴向固定;
布置在外壳与内壳之间的轴向滑槽,用于实现内壳的自由轴向滑动;
调节螺栓,其贯穿外壳的面板和端部盖板并连接外壳和内壳,其螺栓头嵌入螺栓固定板中,通过螺母调节外壳和内壳的相对位置,实现调节被检构件与永久磁铁之间的提离。
6.如权利要求3所述的自感知工作点的电磁超声检测装置,其特征在于,电磁超声检测仪包括计算机、信号发生器、功率放大器、信号预处理器、A/D转换器;其中
计算机,用于控制信号发生器产生正弦脉冲电流信号;
信号发生器,用于产生正弦脉冲电流信号并发送至功率放大器;
功率放大器,用于将放大后的正弦脉冲电流信号输入激励线圈;
信号预处理器,用于对接收线圈产生的电信号进行滤波放大,并发送至A/D转换器;
A/D转换器,用于接收所述滤波放大后的电信号并转换为数字信号,发送至计算机获得最终的检测信号。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510698783.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。