[发明专利]晶片对晶片对接结构及其制作方法

权利要求书

1.一种晶片对晶片对接结构的制作方法，包含：

提供一第一晶片和一第二晶片，一第一接合层覆盖该第一晶片，一第二接合层覆盖该第二晶片，其中该第一接合层内设置有多个第一金属内连线，该第二接合层内设置有多个第二金属内连线；

将该第一接合层与该第二接合层接合，其中该第一接合层与该第二接合层的接触面形成一界面；

薄化该第一晶片；以及

形成至少一直通硅穿孔接触该多个第一金属内连线中的其中之一个第一金属内连线以及接触该多个第二金属内连线中的其中之一个第二金属内连线。

2.如权利要求1所述的晶片对晶片对接结构的制作方法，其中该直通硅穿孔穿透该第一晶片、该第一接合层和该界面，并且进入该第二接合层。

3.如权利要求1所述的晶片对晶片对接结构的制作方法，其中该第一晶片包含一正面和一背面，该背面和该正面相对，该第一接合层覆盖并接触该正面。

4.如权利要求3所述的晶片对晶片对接结构的制作方法，其中该直通硅穿孔包含第一硅穿孔分支、第二硅穿孔分支和连接元件，该第一硅穿孔分支接触该第一金属内连线，该第二硅穿孔分支接触该第二金属内连线，该连接元件设置在该第一晶片的该背面并且接触该第一硅穿孔分支和该第二硅穿孔分支。

5.如权利要求4所述的晶片对晶片对接结构的制作方法，其中该第一硅穿孔分支穿透该第一晶片并且进入该第一接合层，该第一硅穿孔分支没有穿透该界面。

6.如权利要求4所述的晶片对晶片对接结构的制作方法，其中该第二硅穿孔分支穿透该第一晶片、该第一接合层、该界面并且进入该第二接合层。

7.如权利要求1所述的晶片对晶片对接结构的制作方法，其中该直通硅穿孔的底部形成一阶梯轮廓，该阶梯轮廓包含第一平面和第二平面，该第一平面和该第二平面高度不同，该第一平面接触该第一金属内连线，该第二平面接触该第二金属内连线。

8.如权利要求1所述的晶片对晶片对接结构的制作方法，其中与该直通硅穿孔接触的该第一金属内连线以及与该直通硅穿孔接触的该第二金属内连线互不重叠。

9.如权利要求1所述的晶片对晶片对接结构的制作方法，其中与该直通硅穿孔接触的该第一金属内连线以及与该直通硅穿孔接触的该第二金属内连线仅部分重叠。

10.如权利要求1所述的晶片对晶片对接结构的制作方法，其中与该直通硅穿孔接触的该第二金属内连线完全重叠该直通硅穿孔接触的该第一金属内连线，并且该第二金属内连线在水平方向上比该第一金属内连线大。

11.一种晶片对晶片对接结构，包含：

第一晶片；

第二晶片；

第一接合层和第二接合层，设置于该第一晶片和该第二晶片之间；

界面，设置于该第一接合层与该第二接合层的接触面；

多个第一金属内连线，设置于该第一接合层内；

多个第二金属内连线，设置于该第二接合层内；以及

至少一直通硅穿孔，穿透该第一晶片、该第一接合层和该界面，并且进入该第二接合层，其中该直通硅穿孔接触该多个第一金属内连线中的其中之一个第一金属内连线以及接触该多个第二金属内连线中的其中之一个第二金属内连线。

12.如权利要求11所述的晶片对晶片对接结构，其中该第一晶片包含一正面和一背面，该背面和该正面相对，该第一接合层覆盖并接触该正面。

13.如权利要求12所述的晶片对晶片对接结构，其中该直通硅穿孔包含第一硅穿孔分支、第二硅穿孔分支和连接元件，该第一硅穿孔分支接触该第一金属内连线，该第二硅穿孔分支接触该第二金属内连线，该连接元件设置在该第一晶片的该背面并且接触该第一硅穿孔分支和该第二硅穿孔分支。

14.如权利要求13所述的晶片对晶片对接结构，其中该第一硅穿孔分支穿透该第一晶片并且进入该第一接合层，该第一硅穿孔分支没有穿透该界面，该第二硅穿孔分支穿透该第一晶片、该第一接合层、该界面并且进入该第二接合层。

15.如权利要求11所述的晶片对晶片对接结构，其中该直通硅穿孔的底 部形成一阶梯轮廓，该阶梯轮廓包含一第一平面和一第二平面，该第一平面和该第二平面高度不同，该第一平面接触该第一金属内连线，该第二平面接触该第二金属内连线。