[发明专利]像素结构及阵列基板有效

专利信息
申请号: 201510701132.1 申请日: 2015-10-26
公开(公告)号: CN105204259B 公开(公告)日: 2019-02-15
发明(设计)人: 杜鹏 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/139 分类号: G02F1/139;G02F1/1343;G02F1/1368;G02F1/1362
代理公司: 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 代理人: 张文娟;朱绘
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 像素 结构 阵列
【说明书】:

一种像素结构及阵列基板。本发明的像素结构即保留了DLS架构带来的降低制造成本的特点,又通过使每个像素区域的主像素区域的像素电极的电压和子像素区域的像素电极的电压不同的技术手段,解决了VA模式下液晶显示面板存在的大视角色偏的技术问题,改善了液晶显示面板的大视角特性,显著提高了显示效果和市场竞争力。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素结构,还涉及具有该像素结构的阵列基板。

背景技术

随着液晶显示技术的不断发展,液晶显示面板作为显示部件已广泛应用于移动电话、数码相机、掌上电脑(Personal Digital Assistant,PDA)等电子产品中。

目前,通常采用共享数据线(Data Line Sharing,DLS)的方式来降低液晶显示面板的制作成本。图1示出了现有技术中采用DLS架构的液晶显示面板的像素结构的等效电路图。如图1所示,像素结构包括扫描线、数据线、像素电极和公共电极,每相邻两条数据线和每相邻两条扫描线围成并排排列的两个亚像素区域。以数据线D1和D2及扫描线G1和G2围成的两个亚像素区域为例来具体说明像素结构的结构。这两个亚像素区域内各设置有一个薄膜晶体管。其中第一个亚像素区域101内的薄膜晶体管的栅极与扫描线G2连接,源极与数据线D1连接,漏极连接此区域内的像素电极。第二个亚像素区域102内的薄膜晶体管的栅极与扫描线G1连接,源极与数据线D2连接,漏极连接此区域内的像素电极。可以看出,DLS架构能够使得液晶显示面板的扫描线的数量加倍,并使数据线的数量减半,从而能够减少源极驱动电路的数量,达到降低成本的目的。

上述像素结构所有的亚像素区域只设置一个区(不区域主像素区域和子像素区域),这样对于具有此种像素结构且采用垂直配向(Vertical Alignment,VA)模式的液晶显示面板来讲,往往存在大视角色偏的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是:由于像素结构的所有亚像素区域均只设置一个区,因此对于采用DLS架构和垂直配向模式的液晶显示面板来说,往往存在大视角色偏的问题。

为了解决上述技术问题,本发明提供了一种像素结构及阵列基板。

根据本发明的一个方面,提供了一种像素结构,其包括扫描线、数据线、像素电极和公共电极;

每相邻两条数据线之间设置有多组像素区域,其中每组像素区域对应两条相邻的扫描线,并且每组像素区域包括两个亚像素区域;

所述亚像素区域包括主像素区域和子像素区域,所述主像素区域内的像素电极与所述公共电极的电压差不同于所述子像素区域内的像素电极与所述公共电极的电压差。

优选的是,所述两条相邻的扫描线贯穿所述主像素区域和所述子像素区域。

优选的是,所述主像素区域内设置有第一薄膜晶体管,所述子像素区域内设置有第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管;

所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极同时连接所述相邻的扫描线中的一条,所述第一薄膜晶体管的源极和所述第二薄膜晶体管的源极同时连接所述相邻两条数据线中的一条,所述第一薄膜晶体管的漏极连接所述主像素区域的像素电极,所述第二薄膜晶体管的漏极连接所述子像素区域的像素电极;

所述第三薄膜晶体管的设置使得所述主像素区域内的像素电极与所述公共电极的电压差不同于所述子像素区域内的像素电极与所述公共电极的电压差。

优选的是,所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极和所述第三薄膜晶体管的栅极连接同一条扫描线;所述第三薄膜晶体管的漏极连接所述子像素区域的像素电极,所述第三薄膜晶体管的源极连接所述公共电极。

优选的是,所述第三薄膜晶体管通过过孔连接所述公共电极。

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