[发明专利]一种Nb-Si-Ti-Ta-B合金材料及其制备方法

权利要求书

1.一种Nb-Si-Ti-Ta-B合金材料，其特征在于，由以下原子百分比的原料制成：Si6％～20％，Ti16％～30％，Ta5％～15％，B2％～8％，余量为Nb和不可避免的杂质。

2.按照权利要求1所述的一种Nb-Si-Ti-Ta-B合金材料，其特征在于，由以下原子百分比的原料制成：Si8％～13％，Ti18％～22％，Ta8％～12％，B3％～7％，余量为Nb和不可避免的杂质。

3.按照权利要求2所述的一种Nb-Si-Ti-Ta-B合金材料，其特征在于，由以下原子百分比的原料制成：Si10％，Ti20％，Ta10％，B5％，余量为Nb和不可避免的杂质。

4.一种制备如权利要求1～3中任一权利要求所述Nb-Si-Ti-Ta-B合金材料的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤一、将硅粉、钛粉、钽粉、硼粉和铌粉混合均匀后压制成电极，然后将所述电极置于真空自耗电弧熔炼炉中，在真空度小于1×10^-4Pa的条件下电弧熔炼3～6次，得到Nb-Si-Ti-Ta-B合金铸锭；所述电弧熔炼的熔炼电流为5kA～7kA，熔炼电压为20V～40V；

步骤二、将步骤一中所述Nb-Si-Ti-Ta-B合金铸锭在挤压温度为1200℃～1600℃，挤压比为6～12的条件下进行挤压，得到Nb-Si-Ti-Ta-B合金材料。

5.按照权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤一中所述硅粉的质量纯度不小于99.99％，所述钛粉的质量纯度不小于99.99％，所述钽粉的质量纯度不小于99.9％，所述硼粉的质量纯度不小于99.9％，所述铌粉的质量纯度不小于99.99％。

6.按照权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤二中所述挤压温度为1300℃～1500℃，挤压比为7～11。

7.按照权利要求6所述的方法，其特征在于，所述挤压温度为1400℃，挤压比为9。