[发明专利]一种氧化硅的各向异性湿法腐蚀工艺中控制倾角的方法

权利要求书

1.一种氧化硅的各向异性湿法腐蚀工艺中控制倾角的方法，其特征在于，该方法是在需要腐蚀的氧化硅层之上沉积一薄层氧化硅介质，通过调节该薄层氧化硅介质的致密度及厚度，实现对需要腐蚀的氧化硅层的侧向腐蚀速度控制，进而实现对需要腐蚀的氧化硅层的各向异性湿法腐蚀工艺中倾角的控制。

2.根据权利要求1所述的氧化硅的各向异性湿法腐蚀工艺中控制倾角的方法，其特征在于，所述需要腐蚀的氧化硅层及其上的薄层氧化硅介质是分别生长形成的，所述需要腐蚀的氧化硅层呈现各向异性湿法腐蚀特性，且：

所述需要腐蚀的氧化硅层为致密度较高且在腐蚀液中腐蚀速度较慢，所述薄层氧化硅介质为致密度较低且在腐蚀液中腐蚀速度较快；

所述需要腐蚀的氧化硅层的厚度要远大于所述薄层氧化硅介质的厚度，且两者厚度之和为所需氧化硅介质的总厚度。

3.根据权利要求1所述的氧化硅的各向异性湿法腐蚀工艺中控制倾角的方法，其特征在于，所述需要腐蚀的氧化硅层的侧壁倾角由公式估算，其中α为侧壁倾角，V₁为上层的薄层氧化硅介质的腐蚀速度，V₂为下层的需要腐蚀的氧化硅层的腐蚀速度，t₂为下层的需要腐蚀的氧化硅层腐蚀完成的时间，t₃为过腐蚀的时间。

4.根据权利要求3所述的氧化硅的各向异性湿法腐蚀工艺中控制倾角的方法，其特征在于，所述侧壁倾角α从2°～45°可控。

5.根据权利要求3所述的氧化硅的各向异性湿法腐蚀工艺中控制倾角的方法，其特征在于，所述需要腐蚀的氧化硅层在被腐蚀后，其侧壁为平滑线性坡面。

6.根据权利要求3所述的氧化硅的各向异性湿法腐蚀工艺中控制倾角的方法，其特征在于，当处于理想状态即没有过腐蚀情况时，该侧壁倾角仅由所述需要腐蚀的氧化硅层及其上的薄层氧化硅介质两者的腐蚀速度决定。