[发明专利]一种超薄硅化物的制备方法

权利要求书

1.一种超薄硅化物的制备方法，其步骤为：

1)在硅衬底上制备插入阻挡层；

2)在制备的阻挡层上制备一金属层；

3)对步骤2)得到的结构进行退火，使该金属层的金属扩散过该插入阻挡层并与硅反应形成超薄硅化物；

4)去除多余的金属以及该插入阻挡层，得到超薄硅化物。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，制备所述插入阻挡层的方法为：原子层淀积方法、低压化学气相淀积方法、等离子体增强化学气相淀积方法、电感耦合等离子体增强化学气相淀积方法、溅射方法或热氧化方法。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述插入阻挡层材料为对所述金属层的金属具有扩散阻挡作用的绝缘介质材料；所述金属层材料为能与硅反应形成低阻硅化物的材料。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述插入阻挡层的材料为氧化铝、氧化铪或氧化硅。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述金属层的材料为钛、钴、镍或铂。

6.如权利要求3所述的方法，其特征在于，采用淀积方法制备所述金属。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述沉积方法为蒸发、溅射、电镀或化学气相淀积方法。

8.如权利要求3所述的方法，其特征在于，进行所述退火的方法为：快速热退火方法、尖峰退火方法、闪耀退火方法或激光退火方法。

9.如权利要求3所述的方法，其特征在于，采用湿法腐蚀工艺去除多余的金属及该插入阻挡层。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述金属层的材料为镍，所述插入阻挡层的材料为氧化铝，所述湿法腐蚀工艺中的腐蚀液为硫酸和双氧水的混合溶液；其中，硫酸与双氧水的配比为4:1。