[发明专利]过零比较方法及过零比较器

权利要求书

1.一种过零比较方法，适用于过零比较器，用以检测同步整流电路中同步整流管电流的过零点，以控制同步整流管的关断，该方法通过过零比较器的输入级电路，将同步整流管漏极电压输入过零比较器作为检测电压，与过零比较器所设定的翻转阈值VDTH1进行比较，当检测电压达到翻转阈值VDTH1时，即表征同步整流管电流降为零，则关断同步整流管，在此基础上，

所述输入级电路包括由Y个第一NPN三极管、M个第二NPN三极管、N个第三NPN三极管构成的电流镜，所述第二NPN三极管、第三NPN三极管镜像第一NPN三极管的电流；

所述过零比较器的翻转阈值VDTH1，是凭借输入级电路中自有的电流镜，由其第三NPN三极管与第二NPN三极管匹配的数量比值N/M所构成的基射极间压差来产生。

2.根据权利要求1所述的过零比较方法，其特征在于：所述电流镜中NPN三极管的数量匹配关系设定为：VDTH1＝—VT*ln(N/M)，所述第二NPN三极管的个数M小于第三NPN三极管的个数N而大于第一NPN管的个数Y。

3.根据权利要求1或2所述的过零比较方法，其特征在于：所述电流镜，还包括L个第四NPN三极管，所述电流镜中NPN三极管的数量匹配关系设定为：—VT*ln(N/M)>VT*ln(L/Y)，即L/Y<M/N，所述第二NPN三极管的个数M小于第三NPN三极管的个数N而大于第一NPN管的个数Y，所述第四NPN三极管个数L小于第一NPN三极管个数Y。

4.一种过零比较器，其特征在于：包括依次连接的输入级电路、锁存级电路、自偏置放大级电路和输出级电路，当检测电压达到翻转阈值VDTH1，输入级电路产生两路电流输出到锁存级电路中；锁存级电路根据两路电流的大小发生正反馈翻转，并将两路电流转换为两路电压输出到自偏置放大级电路中；自偏置放大级电路根据两路电压产生大摆幅的数字信号输出到输出级电路中；输出级电路将该数字信号反相输出；

所述输入级电路，包括由Y个第一NPN三极管、M个第二NPN三极管、N个第三NPN三极管构成的电流镜，所述第二NPN三极管、第三NPN三极管镜像第一NPN三极管的电流；所述输入级电路凭借其自有的电流镜，由其第三NPN三极管与第二NPN三极管匹配的数量比值N/M所构成的基射极间压差来产生过零比较器的翻转阈值VDTH1。

5.根据权利要求4所述的过零比较器，其特征在于：所述输入级电路，还包括：第一偏置电流输入端、使能输入端、漏电压检测输入端、源电压检测输入端、第一高压隔离NMOS管、第二高压隔离NMOS管、第三高压隔离NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管，其具体连接关系是，

所述第一偏置电流输入端接第一NPN三极管的集电极、基极以及第二、第三NPN三极管的基极，第一、第二、第三NPN三极管的发射极依次分别接第一、第二、第三高压隔离NMOS管的源极；所述第一、第二、第三高压隔离NMOS管的漏极依次分别接地、漏电压检测输入端和源电压检测输入端，第一、第二、第三高压隔离NMOS管的栅极接使能输入端；所述第二、第三NPN三极管的集电极依次分别接第一PMOS管和第二PMOS管的漏极；所述第一PMOS管的源极接电源VCC，第一PMOS管的栅极接自身的漏极和第三POMS管的栅极；所述第二PMOS管的源极接电源VCC，第二PMOS管的栅极接自身的漏极和第四PMOS管的栅极；所述第三、第四PMOS管的源极接电源VCC，第三、第四PMOS管的漏极接入锁存级电路。