[发明专利]一种刻蚀方法和装置

权利要求书

1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：

调用预先设置的工艺配方，其中，所述工艺配方中设置有对晶片进行刻蚀的工艺项以及对各工艺项的配置；

判断当前执行的工艺项是否为调用的所述工艺配方中的刻蚀项；

若否，则按照所述工艺配方中对当前工艺项的配置，对当前晶片进行所述当前工艺项所指示的操作；

若是，则从预先缓存的刻蚀时间中获取所述当前晶片对应的刻蚀时间，按照所述工艺配方中对所述刻蚀项的配置以及获取的所述刻蚀时间，对所述当前晶片进行刻蚀。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述调用预先设置的工艺配方步骤之前，所述方法还包括：

接收待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间；或者，根据待刻蚀的各片晶片的初始厚度、目标厚度以及刻蚀速率自动生成所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间；

将所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间进行缓存。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述工艺配方中配置有最长刻蚀时间以及最短刻蚀时间，在所述接收待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间的步骤之后，所述方法还包括：

获取所述工艺配方中配置的所述最长刻蚀时间以及最短刻蚀时间；

分别判断所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间是否在所述最长刻蚀时间以及所述最短刻蚀时间之间；

若否，则展示所述晶片的刻蚀时间不符合设定条件的提示信息。

4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述工艺配方中配置的各工艺项设置有用于标定工艺项是否为刻蚀项的标识；

所述判断当前执行的工艺项是否为调用的所述工艺配方中的刻蚀项的步骤包括：

判断当前执行的工艺项的标识是否为刻蚀项对应的标识；

若是，则确定当前工艺项为刻蚀项；

若否，则确定所述当前工艺项为非刻蚀项。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据待刻蚀的各片晶片的初始厚度、目标厚度以及刻蚀速率自动生成所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间的步骤包括：

通过以下公式生成所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间：刻蚀时间＝(初始膜厚-目标膜厚)÷刻蚀速率。

6.一种刻蚀装置，其特征在于，包括：

调用模块，用于调用预先设置的工艺配方，其中，所述工艺配方中设置有对晶片进行刻蚀的工艺项以及对各工艺项的配置；

判断模块，用于判断当前执行的工艺项是否为调用的所述工艺配方中的刻蚀项；

第一执行模块，用于若所述判断模块的判断结果为否，则按照所述工艺配方中对当前工艺项的配置，对当前晶片进行所述当前工艺项所指示的操作；

第二执行模块，用于若所述判断模块的判断结果为是，则从预先缓存的刻蚀时间中获取所述当前晶片对应的刻蚀时间，按照所述工艺配方中对所述刻蚀项的配置以及获取的所述刻蚀时间，对所述当前晶片进行刻蚀。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述刻蚀装置还包括：

接收生成模块，用于在所述调用模块调用预先设置的工艺配方之前，接收待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间；或者，根据待刻蚀的各片晶片的初始厚度、目标厚度以及刻蚀速率自动生成所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间；

缓存模块，用于将所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间进行缓存。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述工艺配方中配置有最长刻蚀时间以及最短刻蚀时间，所述刻蚀装置还包括：

获取模块，用于在所述接收生成模块接收待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间之后，获取所述工艺配方中配置的所述最长刻蚀时间以及最短刻蚀时间；

时间判断模块，用于分别判断所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间是否在所述最长刻蚀时间以及所述最短刻蚀时间之间；

展示模块，用于若所述时间判断模块的判断结果为否，则展示所述晶片的刻蚀时间不符合设定条件的提示信息。

9.根据权利要求6-8任一项所述的装置，其特征在于，所述工艺配方中配置的各工艺项设置有用于标定工艺项是否为刻蚀项的标识；

所述判断模块判断当前执行的工艺项是否为调用的所述工艺配方中的刻蚀项时：

判断当前执行的工艺项的标识是否为刻蚀项对应的标识；

若是，则确定当前工艺项为刻蚀项；

若否，则确定所述当前工艺项为非刻蚀项。

10.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述接收生成模块根据待刻蚀的各片晶片的初始厚度、目标厚度以及刻蚀速率自动生成所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间时：

通过以下公式生成所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间：刻蚀时间＝(初始膜厚-目标膜厚)÷刻蚀速率。