[发明专利]一种发光二极管外延片及其制作方法在审
| 申请号： | 201510703817.X | 申请日： | 2015-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN105355734A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 吴克敏;徐瑾;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制作方法 | ||
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、P型AlGaN电子阻挡层和P型GaN层，其特征在于，所述发光二极管外延片还包括层叠在所述P型AlGaN电子阻挡层和所述P型GaN层之间的P型超晶格层，所述P型超晶格层包括若干P型超晶格子层，所述P型超晶格子层包括P型InGaN层和P型GaN层，所述P型超晶格层的发光波长与所述多量子阱层的发光波长相同。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述P型超晶格子层中的P型InGaN层的厚度为2-3nm。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述P型超晶格子层中的P型GaN层的厚度为3-5nm。
4.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述P型超晶格子层的层数为1-3层。
5.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述P型超晶格子层中的P型InGaN层层叠在所述P型超晶格子层中的P型GaN层上。
6.一种发光二极管外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在衬底上依次形成未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、P型AlGaN电子阻挡层、P型超晶格层和P型GaN层，所述P型超晶格层包括若干P型超晶格子层，所述P型超晶格子层包括P型InGaN层和P型GaN层，所述P型超晶格层的发光波长与所述多量子阱层的发光波长相同。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述P型超晶格子层中的P型InGaN层的厚度为2-3nm。
8.根据权利要求6或7所述的制作方法，其特征在于，所述P型超晶格子层中的P型GaN层的厚度为3-5nm。
9.根据权利要求6或7所述的制作方法，其特征在于，所述P型超晶格子层的层数为1-3层。
10.根据权利要求6或7所述的制作方法，其特征在于，所述P型超晶格子层中的P型InGaN层形成在所述P型超晶格子层中的P型GaN上。
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