[发明专利]一种上转换发光材料及其制备方法在审
申请号: | 201510704277.7 | 申请日: | 2015-10-27 |
公开(公告)号: | CN105255496A | 公开(公告)日: | 2016-01-20 |
发明(设计)人: | 王飞 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
主分类号: | C09K11/84 | 分类号: | C09K11/84 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 650093 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 转换 发光 材料 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种上转换发光材料及其制备方法,属于发光材料技术领域。
背景技术
光频上转换是物理学中十分重要的方法,基于上转换原理的材料和器件在激光、通信、能源、医疗、军事、航空航天和人们日常生活中都有着十分重要的应用前景。上转换技术应该在许多领域得到非常广泛的应用,但目前,由于生产技术方面的限制,很多产品达不到上转换发光所需的要求。
最近几年研究的上转换材料繁多,其形状相态也是多种多样。例如玻璃、陶瓷、单晶和多晶粉末等,其化合组成为氧化物、氟化物、硫化物、硫氧化物和卤氧化物等。而稀土硫氧化物相对氟化物具有更低的声子能(200-300cm-1),物理化学性质稳定,激发强度要求相对较低。
目前荧光粉制备比较成熟的生产方法有高温固相法和沉淀法,但高温固相法和沉淀法都还存在各自的缺点。高温固相法反应时间长,需要的温度高,晶粒粗,过程不易控制;沉淀法结晶较差,导致发光效率较差。因此进一步完善生产方法能提高稀土发光材料的发光效率。该发明提出在真空条件下,通过控制真空度、温度、保温时间等研究其条件下晶体生长机制及杂质相的形成,硫的挥发情况等。真空条件下合成能很快的达到所需温度,制备颗粒尺寸较小,有利于该种发光材料的实际应用。
本发明在制备稀土硫氧化物(Gd2O2S)单一基质基础上,设计一种对于太阳光有更宽的吸收带的材料来协助稀土离子转光,利用这种材料吸收不能被利用的宽带范围内的光,然后将能量传递给稀土离子,稀土离子再将光转换成能被利用的光,从而使铒离子在该基质材料中实现宽带转光与协同发光。
发明内容
针对上述现有技术存在的问题及不足,本发明提供一种上转换发光材料及其制备方法。本发明制备得到的上转换发光材料具有约100纳米至约10微米的粒径,并在近紫外光激发下,实现不同颜色的发光,与其他材料相比,其晶体结构与发光性能更优,量子效率高,更适于实际的应用,本发明通过以下技术方案实现。
一种上转换发光材料,该材料通式为Gd2-y-zO3-xSx:Ery3+,Mzn+,其中0≤x≤1,0.01≤y≤0.2,0.01≤z≤0.12,Mn+为Tm3+和/或Tb3+稀土离子,或者Li+。
一种上转换发光材料的制备方法,其具体步骤如下:
(1)首先将Gd2O3和Er2O3按照材料的化学计量比混合均匀得到混合料,然后加入硝酸溶液中混合,在温度为90~120℃下搅拌至溶液澄清,然后加入LiOH沉淀剂直至pH为12、密封保温2h,最后清洗后制备得到沉淀物;
(2)将步骤(1)制备得到的沉淀物烘干、研磨后按照计量比加入单质硫以及助溶剂NaCO3,在真空度为0.1~10Pa、温度为700~1100℃条件下保温2~5h制备得到Gd2-y-zO3-xSx:Ery3+,Mzn+发光材料,其中0≤x≤1,0.01≤y≤0.2,0.01≤z≤0.12,Mn+为Li+。
所述步骤(1)中硝酸溶液的浓度为0.8~1.8mol/l。
所述步骤(2)中助溶剂NaCO3的加入量为沉淀物质量的20~50%。
一种上转换发光材料的制备方法,其具体步骤如下:
(1)首先将Gd2O3和Er2O3按照材料的化学计量比混合均匀得到混合料,加入硝酸溶液中混合,在温度为90~120℃下搅拌至溶液澄清,然后加入沉淀剂直至pH为12、密封保温2h,最后清洗后制备得到沉淀物;
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