[发明专利]一种Ag掺杂Mg2Si基热电薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201510704558.2 | 申请日： | 2015-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN105220119A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 温翠莲;陈志坚;周白杨;詹晓章;黄小桂;熊锐;林逵 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ag 掺杂 mg sub si 热电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种Ag掺杂Mg2Si基热电薄膜的制备方法，其特征在于：采用磁控溅射沉积法在绝缘衬底上进行双靶循环溅射，其中，一靶位放Mg2Si靶，电源选用射频电源；另一靶位放Ag单质靶，电源选用直流电源；先镀一层Mg2Si，接着镀Ag层，再镀一层Mg2Si，以此为一周期；按此周期循环溅射多次，制备得到具有叠层结构的薄膜；最后采用真空退火获得Ag掺杂Mg2Si基热电薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的双靶循环溅射条件为：本底真空度为6.5×10-4～1.0×10-5Pa，工作气体为高纯Ar气，Ar气流量10～50sccm，工作气压为0.1～5.0Pa。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：双靶循环溅射的周期为1～24次，Ag和Mg2Si的溅射时间比为1:4～1:60，总溅射时间和为0.5～1.5h。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，Mg2Si靶射频溅射功率为40～200W，Ag靶直流溅射功率为20～150W。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在溅射完成后，关闭溅射源，在本底真空度低于5.0×10-4Pa的真空室中通入高纯Ar气，关小抽气阀门，使Ar气的气氛维持在1～50Pa；在试样不出炉的情况下进行真空退火制得Ag掺杂Mg2Si基热电薄膜。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述退火温度为100～500℃，退火时间为0.5h～5h。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：绝缘衬底使用前依次采用丙酮、酒精进行超声波清洗，超声波清洗时间分别为10～30min。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述绝缘衬底为绝缘玻璃、单晶Si、石英、Al2O3中的一种。
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