[发明专利]一种品质提升的蓝宝石晶片图形化基板蚀刻失败后返工工艺

权利要求书

1.一种品质提升的蓝宝石晶片图形化基板蚀刻失败后返工工艺，其特征为，其工艺流程如下：

一、清洗：

（1）将图形化基板蚀刻失败后的蓝宝石晶片在丙酮中静置浸泡30min，去除蓝宝石晶片表面的油污；

（2）蓝宝石晶片表面光刻胶的清洗：在酸洗槽中按5:1的质量比将H2SO4与H2H2配制成酸洗液，将酸洗液加热到140℃，将经过步骤一（1）处理后的蓝宝石晶片放置到酸洗槽中，浸泡5分钟，后使用纯水冲洗200秒，将蓝宝石晶片表面的酸液冲净；

（3）烘干：使用甩干机将经步骤一（2）清洗后的蓝宝石晶片甩干，确保蓝宝石晶片表面无水渍残留；

二、分选：

（1）检测：在强光等下检测经步骤一清洗后的蓝宝石晶片表面，先剔除掉有裂痕和崩边的蓝宝石晶片；

（2）厚度排列：对每片蓝宝石晶片进行厚度的测量，将蓝宝石晶片按厚度从小到大的顺序排列，每批蓝宝石晶片的数量与抛光机的每个RUN的片数相同，每批蓝宝石晶片之间厚度的差异控制在3um以内；

三、CMP抛光去除蓝宝石晶片表面缺陷，所述CMP抛光采用贴蜡抛光的工艺：

（1）将表面光滑平坦度好的圆形陶瓷盘放置于加热平台上，使圆形陶瓷盘的光滑面朝上，加热至90℃，陶瓷盘的厚度为2±0.5cm；

（2）采用融点为60℃的固态蜡，将固态蜡均匀涂在陶瓷盘表面，此时，固态蜡融化成粘蜡，将经步骤二分选后的蓝宝石晶片贴于融化后的粘蜡上，需抛光面朝上；

（3）将贴有蓝宝石晶片的陶瓷盘放置于气囊压片机上，放下气囊垫，一方面挤压出蓝宝石晶片和陶瓷盘之间粘蜡和气泡，另一方面对陶瓷盘进行冷却，使粘蜡凝固；

（4）陶瓷盘放于抛光机上，抛光机采用单轴压力控制系统，抛光机的下盘面为贴有抛光布的表面平坦的铅盘，将陶瓷盘放置于抛光机下盘面，贴有蓝宝石晶片的一面朝下，放下上轴；

（5）进行抛光，抛光采用碱性抛光液，所述碱性抛光液成分包括SIO2，KOH，络合剂，碱性抛光液的PH值为10~11.5，抛光压力为100-200kg，转速为40-50RPM，将下盘面的温度保持在40-45℃，抛光时间为100分钟；

（6）抛光结束后，将陶瓷盘放入水槽中，贴有蓝宝石晶片的一面朝上，用纯水冲洗蓝宝石晶片表面的抛光液，后用气枪吹干；

（7）将吹净后陶瓷盘放置在加热平台上，将温度加热至90℃后，使蓝宝石晶片背面的凝固的粘蜡融化，取出蓝宝石晶片，装入晶舟盒中；

（8）将取出的蓝宝石晶片放入配有碱性清洗液的清洗槽中，开启加热和超声，去除蓝宝石晶片背面残余的粘蜡，所述碱性清洗液为NaOH溶液或KOH溶液，所述NaOH或KOH的质量百分比为2%-5%。

2.如权利要求1所述的一种品质提升的蓝宝石晶片图形化基板蚀刻失败后返工工艺，其特征为，所述CMP抛光去除蓝宝石晶片表面缺陷时，所述蓝宝石晶片以陶瓷盘距边缘1-2cm处为边界以逆时针方向进行贴片，蓝宝石晶片在陶瓷盘上以陶瓷盘的圆心为中心对称分布，且，在所述陶瓷盘上设有空白区域，所述空白区域是以陶瓷盘圆心为原点，以4-6cm为半径的圆的区域。