[发明专利]气相生长装置以及气相生长方法

权利要求书

1.一种气相生长装置，其特征在于，具备：

n个反应室，在小于大气压的压力下分别处理基板，n为1以上的整数；

盒室，具有能够设置用于保持上述基板的盒的盒保持部，该盒室能够 减压至小于大气压的压力；

搬送室，设置于上述反应室与上述盒室之间，在小于大气压的压力下 搬送上述基板；以及

基板待机部，能够同时保持n片以上的在上述反应室中被处理后的上 述基板，该基板待机部的耐热温度为500℃以上，且设置于能够减压至小于 大气压的压力的区域。

2.如权利要求1所述的气相生长装置，其特征在于，

上述基板待机部设置于上述盒室。

3.如权利要求1所述的气相生长装置，其特征在于，

还具备虚拟基板收纳部，该虚拟基板收纳部能够同时保持n片以上的 虚拟基板，该虚拟基板收纳部的耐热温度为500℃以上，且设置于能够减压 至小于大气压的压力的区域。

4.如权利要求2所述的气相生长装置，其特征在于，

上述盒保持部和上述基板待机部沿重力方向排列配置，上述气相生长 装置还具备使上述盒保持部和上述基板待机部升降的升降机构。

5.一种气相生长方法，其特征在于，

将用于保持多个基板的盒设置于在盒室设置的盒保持部，

将上述盒室减压至小于大气压的压力，

将上述基板从上述盒室搬送到小于大气压的压力的搬送室，

将上述基板从上述搬送室搬送到从被调整为小于大气压的压力后的n 个反应室中选择出的反应室，n为1以上的整数，

将上述基板在上述选择出的反应室内加热到500℃以上，并且，向上述 选择出的反应室供给过程气体并对上述基板成膜，

将上述基板从上述选择出的反应室搬送到小于大气压的压力的上述搬 送室，

将上述基板从上述搬送室向小于大气压的压力下的耐热温度为500℃ 以上的基板待机部搬送，

在上述基板的温度降低到小于100℃后，将上述基板从上述基板待机部 取出并向上述盒收纳。