[发明专利]低成本与门电路在审
| 申请号： | 201510705642.6 | 申请日： | 2015-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN105207667A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 王钊 | 申请（专利权）人： | 无锡中感微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/20 | 分类号： | H03K19/20 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 庞聪雅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低成本 与门 电路 | ||
1.一种与门电路，其特征在于，其包括：
第一与门输入端；
第二与门输入端；
与门输出端；
第一PMOS晶体管，其源极与第一与门输入端相连，其栅极与第二与门输入端相连；
第二PMOS晶体管，其源极与第一与门输入端相连，其栅极与第一PMOS晶体管的漏极相连，其漏极与所述与门输出端相连；
第一NMOS晶体管，其栅极与第二与门输入端相连，其源极接地，其漏极与第一PMOS晶体管的漏极相连；
第一电阻，其连接于所述与门输出端和接地端之间。
2.根据权利要求1所述的与门电路，其特征在于，
所述第一电阻替换为第一电流源，该第一电流源的输入端与所述与门输出端相连，其输出端与接地端相连。
3.根据权利要求1所述的与门电路，其特征在于，第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的衬体端与其源极相连，第一NMOS晶体管的衬体端与其源极相连。
4.根据权利要求1-3任一所述的与门电路，其特征在于，
在第一与门输入端和第二与门输入端均为高电平时，第一NMOS晶体管导通，第一PMOS晶体管截止，第二PMOS晶体管导通，所述与门输出端为高电平，
在第一与门输入端和第二与门输入端均为低电平时，第一NMOS晶体管截止，第一PMOS晶体管导通，第二PMOS晶体管截止，所述与门输出端为低电平，
在第一与门输入端为高电平且第二与门输入端为低电平时，第一NMOS晶体管截止，第一PMOS晶体管导通，第二PMOS晶体管截止，所述与门输出端为低电平，
在第一与门输入端为低电平且第二与门输入端为高电平时，第一NMOS晶体管导通，第一PMOS晶体管截止，第二PMOS晶体管导通，所述与门输出端为低电平。
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