[发明专利]一种折叠式线性跨导上变频器

权利要求书

1.一种折叠式线性跨导上变频器，其特征在于：包含线性跨导级和双平衡本振开关及负载级，电流信号经线性跨导级复制和放大后注入到双平衡本振开关，经本振开关的变频作用产生上变频信号以及谐波混频产物，而后经过负载端滤除谐波混频产物，输出纯净的上变频信号。

2.根据权利要求1所述的上变频器，其特征在于：所述线性跨导级包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第十四NMOS管及第三电阻，输入信号正端接第一PMOS管的栅极，第一PMOS管的源极接第十四PMOS管的漏极，第十四PMOS管的源极接电源电压VDD，第十四PMOS管的栅极接偏置电压Vbp1；第二PMOS管的源极接第十四PMOS管的漏极，第二PMOS管的栅极接第四PMOS管的栅极；第一PMOS管的漏极接第十四NMOS管的漏极，第一NMOS管4的栅极和漏极短接，第十四NMOS管的源极接地GND；第二PMOS管的漏极接第一NMOS管的漏极，第一NMOS管的栅极接NM0的栅极，第一NMOS管的源极接地；第四PMOS管的栅极和漏极一起接到第二NMOS管第二NMOS管的漏极，第二NMOS管的栅极接偏置电压Vbn1，第二NMOS管的源极接地；第三PMOS管的源极接电源，第三PMOS管的栅极接Vbp1，第三PMOS管的漏极同时接第五PMOS管的源极和第四PMOS管的源极；第五PMOS管的栅极接第二PMOS管的漏极，第五PMOS管的漏极同时接第三NMOS管的漏极和栅极，第三NMOS管的源极接地；第三电阻的正端接第四PMOS管的源极；

输入信号负端接第七PMOS管的栅极，第七PMOS管的源极接第六PMOS管的漏极，第六PMOS管的源极接电源电压VDD，第七PMOS管的栅极接偏置电压Vbp1；第八PMOS管的源极接第六PMOS管的漏极，第八PMOS管的栅极接第十PMOS管的栅极；第七PMOS管的漏极接第四NMOS管的漏极，第四NMOS管的栅极和漏极短接，第四NMOS管的源极接地；第八PMOS管的漏极接第五NMOS管的漏极，第五NMOS管的栅极接第四NMOS管的栅极，第五NMOS管的源极接地；第十PMOS管的栅极和漏极一起接到第六NMOS管的漏极，第六NMOS管的栅极接偏置电压Vbn1，第六NMOS管的源极接地；第九PMOS管的源极接电源，第九PMOS管的栅极接偏置电压Vbp1，第九PMOS管的漏极同时接第十一PMOS管的源极和第十PMOS管的源极；第十一PMOS管的栅极接第八PMOS管的漏极，第十一PMOS管的漏极同时接第七NMOS管的漏极和栅极，第七NMOS管的源极接地；第三电阻的负端接第十PMOS管的源极。

3.根据权利要求1所述的上变频器，其特征在于：所述双平衡本振开关和负载级包括：第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第十二NMOS管、第十三NMOS管、第十二PMOS管、第十三PMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电感及第一电容，第八NMOS管的源极接地，栅极接第三NMOS管的栅极；第九NMOS管的源极接地，栅极接第七NMOS管的栅极；第八NMOS管的漏极接第十NMOS管的源极和第十一NMOS管的源极，第九NMOS管的漏极接第十二NMOS管的源极和第十三NMOS管的源极；第十NMOS管的漏极与第十三NMOS管的漏极一起接输出信号负端，第十一NMOS管的漏极与第十二NMOS管的漏极一起接输出信号正端；第十NMOS管栅极与第十二NMOS管的栅极接本振信号负端，第十一NMOS管和第十三NMOS管的栅极接本振信号正端；第十二PMOS管的源极接电源，栅极接第十三PMOS管的栅极；第一电阻的正极与第二电阻的正极一起接到第一PMOS管2和第十三PMOS管的栅极，第一电阻的负极与第十二PMOS管的漏极一起接到信号负端，第二电阻的负极与第十三PMOS管的漏极一起接到输出信号正端；第一电感的正极接输出信号负端，负极接输出信号正端；第一电容的正极接输出信号正端，负极接输出信号负端。