[发明专利]一种硼酸镁晶须增强的碳化硅基陶瓷电路板基板材料及其制备方法

权利要求书

1.一种硼酸镁晶须增强的碳化硅基陶瓷电路板基板材料，其特征在于，该材料由以下重量份的原料制成：碳化硅60-65、硼酸镁晶须6-8、氧化石墨烯0.1-0.2、硅酸镁3-4、纳米氧化铝10-13、硅烷偶联剂kh5501-2、甘油8-10、乙二醇5-6、聚乙二醇1-2、纳米陶瓷粉透明液体10-12、去离子水50-60。

2.如权利要求1所述的一种硼酸镁晶须增强的碳化硅基陶瓷电路板基板材料及其制备方法，其特征在于，所述的制备方法为：

（1）先将碳化硅球磨分散12-15h，随后加入纳米氧化铝、硼酸镁晶须、氧化石墨烯、硅烷偶联剂kh550继续混合球磨分散3-4h后，加入其它剩余物料，密闭混合球磨分散4-5h，将所得浆料完全干燥后过200-300目筛；

（2）将上述过筛粉体投入模具中压制成型，所得坯体在400-500℃下进行排胶处理，处理结束后将坯体送入真空电阻炉中，其中氮气和氢气的流量比为1:0.5-0.6，并在氮气和氢气混合气体氛围下以1300-1420℃的温度保温烧结4-5h，烧结结束后自然冷却至室温，即得所述复合陶瓷基板材料。