[发明专利]一种低气孔率低烧结温度的高硬度氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其制备方法

权利要求书

1.一种低气孔率低烧结温度的高硬度氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料，其特征在于，该材料由以下重量份的原料制成：氮化铝60-70、碳化硅15-20、氧化铜0.2-0.5、纳米碳酸锶2-3、纳米立方氮化硼6-8、季铵盐类离子液体10-15、无水乙醇适量、硅烷偶联剂kh5501-2、异己二醇6-8、聚乙二醇2-3、烧结助剂6-8。

2.如权利要求1所述的一种低气孔率低烧结温度的高硬度氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料，其特征在于，所述的烧结助剂由以下重量份的原料制成：高纯硼粉2-3、冰晶石粉4-5、纳米氮化铝10-15、固含量为25-30%的氧化铝溶胶10-15、乙酸0.01-0.02，烧结助剂的制备方法为：将所有原料全部投入球磨罐中，密闭滚动球磨10-12h，球磨结束后将混合浆料取出，放入真空干燥烘箱中干燥，干燥温度为80-100℃，完全干燥后冷却至室温，所得粉体球磨分散成粉体即得。

3.如权利要求1所述的一种低气孔率低烧结温度的高硬度氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其制备方法，其特征在于，所述的制备方法为：

（1）先将氮化铝、碳化硅、纳米碳酸锶、纳米立方氮化硼、季铵盐离子液体、无水乙醇、硅烷偶联剂kh550、烧结助剂混合后球磨分散20-25h，随后加入其它剩余成分，继续球磨分散10-12h，所得浆料的粘度控制在15000-20000cps，最后将所得浆料经过真空除泡处理后备用；

（2）将上述制备的浆料经流延成型机，流延得到所需厚度的坯体，所得坯体在500-600℃条件下热处理2-3h后将坯体送入真空电阻炉中，并在氮气和氢气混合气体氛围下以1350-1500℃的温度烧结3-4h，即得所述复合基板材料，其中氮气和氢气的流量比为1:0.5-1。