[发明专利]银纳米线制造方法在审

专利信息
申请号: 201510707170.8 申请日: 2015-10-27
公开(公告)号: CN105537609A 公开(公告)日: 2016-05-04
发明(设计)人: R·P·齐巴思;R·A·帕泰克;W·王;P·T·麦格夫;G·L·阿森斯;J·M·戈斯;J·D·伦恩 申请(专利权)人: 陶氏环球技术有限责任公司
主分类号: B22F9/24 分类号: B22F9/24
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 樊云飞;陈哲锋
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 纳米 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种制造高纵横比银纳米线的方法,其包含:

提供容器;

提供水;

提供还原糖;

提供还原剂;

提供聚乙烯吡咯烷酮(PVP),其中将提供的所述聚乙烯吡咯烷酮(PVP)分成 第一部分的所述聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和第二部分的所述聚乙烯吡咯烷酮(PVP);

提供铜(II)离子来源;

提供卤离子来源;

提供银离子来源,其中将提供的所述银离子来源分成第一部分的所述银离子来源 和第二部分的所述银离子来源;

将所述水、所述还原糖、所述铜(II)离子来源以及所述卤离子来源添加到所述 容器中以形成组合;

将所述组合加热到110到160℃;

将所述第一部分的所述聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、所述第一部分的所述银离子来 源以及所述还原剂添加到所述容器中的所述组合中以形成产生混合物;

接着向所述容器中添加所述第二部分的所述聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和所述第二 部分的所述银离子来源以形成生长混合物;

维持所述生长混合物110到160℃2到30小时的保持时段以提供产物混合物; 和

自所述产物混合物回收多个高纵横比银纳米线;

其中在任何时候所述容器中的总乙二醇浓度都<0.001重量%。

2.根据权利要求1所述的方法,其中将所述第一部分的所述聚乙烯吡咯烷酮(PVP) 和所述第一部分的所述银离子来源同步添加到所述容器中。

3.根据权利要求1所述的方法,其中将所述第一部分的所述银离子来源在所述容器 中所述组合的表面以下添加到所述组合中。

4.根据权利要求1所述的方法,其进一步包含:

延迟时段,

其中将所述延迟时段插入添加所述第一部分的所述银离子来源以形成所述产生 混合物与添加所述第二部分的所述银离子来源以形成所述生长混合物之间。

5.根据权利要求4所述的方法,其中所述第一部分的所述聚乙烯吡咯烷酮(PVP) 为提供的所述聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的10到40重量%;并且其中所述第一部分的所 述银离子来源为提供的所述银离子来源的10到40重量%。

6.根据权利要求1所述的方法,其中所述还原剂选自抗坏血酸;硼氢化物盐;肼; 肼盐;对苯二酚;C1-5烷基醛以及苯甲醛。

7.根据权利要求1所述的方法,其中提供的所述还原糖为葡萄糖;并且其中提供的 所述还原剂为抗坏血酸和硼氢化钠中的至少一者。

8.根据权利要求1所述的方法,其进一步包含:

提供pH值调节剂;和

将所述pH值调节剂添加到所述组合中,其中在添加所述pH值调节剂之后所述 组合的pH值为2.0到4.0。

9.根据权利要求1所述的方法,其进一步包含:

吹扫所述容器中与组合接触的容器气相空间以在所述容器气相空间中提供降低 的氧气浓度;

喷洒具有惰性气体的所述银离子来源以自提供的所述银离子来源提取夹带的氧 气并且在与提供的所述银离子来源接触的银离子气相空间中提供低氧气浓度;

吹扫与提供的所述聚乙烯吡咯烷酮(PVP)接触的PVP气相空间以在所述PVP 气相空间中提供稀氧气浓度;

维持所述银离子气相空间中的所述低氧气浓度和所述PVP气相空间中的所述稀 氧气浓度;和

在产生混合物形成期间、在生长混合物形成期间以及在固持时段期间维持所述容 器气相空间中的所述降低的氧气浓度。

10.根据权利要求1所述的方法,

其中提供的所述还原糖为葡萄糖;

提供的所述还原剂选自抗坏血酸;硼氢化物盐;肼;肼盐;对苯二酚;C1-5烷基 醛以及苯甲醛。

其中提供的所述聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的重量平均分子量Mw为40,000到 150,000道尔顿;

其中提供的所述铜(II)离子来源为氯化铜(II);

其中提供的所述卤离子来源为氯化钠;

其中提供的所述银离子来源为硝酸银;

其中所述第一部分的所述聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为提供的所述聚乙烯吡咯烷酮 (PVP)的10到40重量%;并且

其中所述第一部分的所述银离子来源为提供的所述银离子来源的10到40重量%。

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