[发明专利]一种铜锑硫太阳能电池光吸收层薄膜的制备方法在审
申请号: | 201510707654.2 | 申请日: | 2015-10-27 |
公开(公告)号: | CN105390373A | 公开(公告)日: | 2016-03-09 |
发明(设计)人: | 万磊;胡可;马程;徐进章 | 申请(专利权)人: | 合肥工业大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L31/18 |
代理公司: | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人: | 乔恒婷 |
地址: | 230009 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 铜锑硫 太阳能电池 光吸收 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种铜锑硫太阳能电池光吸收层薄膜的制备方法,其特征在于包括如下步骤:
将镀钼玻璃衬底置于多源热蒸发镀膜系统的衬底上并抽真空至5×10-4Pa,将铜、锑和硫的束源炉温度分别升至1100-1200℃、500-600℃以及100-200℃并分别保持恒定;第一步,将衬底温度升温至200-300℃并保持恒定,向镀钼玻璃衬底表面蒸镀锑和硫10-15分钟;第二步,锑和硫蒸镀结束后,保持衬底温度不变并同时蒸镀铜、锑和硫30-40分钟;第三步,铜、锑和硫蒸镀结束后将衬底温度升温至350-450℃,再继续蒸镀锑和硫20-30分钟;锑和硫蒸镀结束后将衬底温度降至室温得到符合化学计量比的铜锑硫薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:
衬底加热器的加热方式为非接触加热,加热器和衬底间保持1-5毫米间距,加热器通过红外热辐射的方式对衬底加热,确保衬底各处受热均匀。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造