[发明专利]具高功率脉冲离子源的磁控溅射装置有效
| 申请号： | 201510708221.9 | 申请日： | 2015-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN105220122B | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 张斌;张俊彦;高凯雄;强力;王健 | 申请（专利权）人： | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人： | 方晓佳 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高功率脉冲 离子源 磁控溅射装置 磁控溅射靶 电源 磁控溅射 真空腔 供电 体内 磁控溅射电源 物理气相沉积 闭环结构 离子回流 偏压电源 真空泵组 真空腔体 工件盘 离化 薄膜 沉积 复合 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种具高功率脉冲离子源的磁控溅射装置，包括由偏压电源（7）供电的工件盘（2）、与真空泵组（1）相连的真空腔体，真空腔体内设有不少于2个的由电源Ⅰ（5）供电的磁控溅射靶（3），其特征在于相邻的磁控溅射靶（3）之间设有由电源Ⅱ（6）供电的高功率脉冲离子源（4），在真空腔体内形成闭环电磁场结构。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于所述磁控溅射靶（3）为矩形或旋转柱靶。
3.如权利要求1所述的装置，其特征在于所述磁控溅射靶（3）为金属或非金属靶。
4.如权利要求1所述的装置，其特征在于所述电源Ⅰ（5）为直流、直流脉冲、中频、射频或高功率脉冲电源。
5.如权利要求1所述的装置，其特征在于所述高功率脉冲离子源（4）的阳极为带进气水冷的铜板结构。
6.如权利要求1所述的装置，其特征在于所述电源Ⅱ（6）为高功率脉冲电源，该高功率脉冲电源为常规高功率脉冲、双极高功率脉冲或双极叠加中频高功率脉冲电源。
7.如权利要求1所述的装置，其特征在于所述高功率脉冲离子源（4）与磁控溅射靶（3）等高布置。
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