[发明专利]一种调节鳍体形貌的方法在审
| 申请号： | 201510708528.9 | 申请日： | 2015-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN106611706A | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 王桂磊;张严波;殷华湘;李俊峰;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司11252 | 代理人： | 洪余节,党丽 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 调节 体形 方法 | ||
1.一种调节鳍体形貌的方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有鳍体；
对所述衬底进行退火，使得所述鳍体的顶部形成圆滑表面，其中，退火温度范围为：700-900℃，退火时间范围为：10-300s。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在外延腔室或退火炉中对所述衬底进行退火。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述外延腔室或所述退火炉的腔室压力范围包括：20Torr-1atm。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述外延腔室或所述退火炉的腔室压力范围为：20-100Torr。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对所述衬底进行退火步骤原位集成于外延工艺，在进行外延生长之前，对所述衬底进行退火，使得所述鳍体的顶部形成圆滑表面。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述外延工艺包括：SiGe、SiC和/或SiGeSn源/漏区选择性外延工艺。
7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述退火炉为具备通入载气或者保护气的高温退火炉。
8.根据权利要求1至7任一项所述的方法，其特征在于，在一定流速载气和/或保护气气氛中对所述衬底进行热处理。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述载气和/或保护气包括：氢气、氮气、氦气、氩气及其任意组合。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述载气为氢气，氢气流量范围为：20-180L/min。
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