[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于包括：

半导体元件；

被接合构件，其被接合至所述半导体元件并且包括镍膜；以及

接合层，其被接合至所述被接合构件并且包含2.0wt％以上且7.6wt％以下的铜；

其中

所述接合层包括焊料部分和Cu₆Sn₅部分；

所述焊料部分的基体金属至少包含作为构成元素的锡和作为构成元素的铜并且包含单质的铜，并且单质的铜的比例取决于所述焊料部分的基体金属中包含的作为构成元素的铜的比例来调整，通过引入所述单质的铜到所述焊料部分的基体金属中，所述焊料部分的基体金属中包含的作为构成元素的铜的比例减少，以及

所述Cu₆Sn₅部分与所述镍膜接触。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述基体金属为包含作为主要成分的锡和铜的合金。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：

所述基体金属为包含作为主要成分的Sn-0.7Cu的合金。

4.一种制造半导体装置的方法，其特征在于包括：

通过焊接材料将半导体元件接合至被接合构件，所述被接合构件包括镍膜，在所述镍膜的表面上形成Cu₆Sn₅部分，所述焊接材料的基体金属至少包含作为构成元素的锡和作为构成元素的铜并且包含单质的铜，在该焊接材料中铜的比例为2.0wt％以上且7.6wt％以下，单质的铜的比例取决于所述焊接材料的基体金属中包含的作为构成元素的铜的比例来调整，并且通过引入所述单质的铜到所述焊接材料的基体金属中，所述焊接材料的基体金属中包含的作为构成元素的铜的比例减少。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：

通过所述焊接材料来将所述半导体元件接合至所述被接合构件上的所述镍膜。