[发明专利]一种广泛适用的离子束电偏转元件设计方法在审

专利信息
申请号: 201510710269.3 申请日: 2015-10-28
公开(公告)号: CN106653543A 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 王高腾 申请(专利权)人: 北京中科信电子装备有限公司
主分类号: H01J37/317 分类号: H01J37/317;H01J37/147
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 101111 北京市通*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 广泛 适用 离子束 偏转 元件 设计 方法
【权利要求书】:

1.一种广泛适用的离子束电偏转元件设计方法,包括:电偏转极板入口宽度d1;电偏转极板出口宽度d2;电偏转极板沿束流方向长度a;束流经过电偏转后的期望偏转角度α。

2.如权利要求1所述的一种广泛适用的离子束电偏转元件设计方法,其特征在于,根据设计参量:偏转板入口宽度d1、束出偏转板时的期望偏转角α、束能量Ua、偏转电压±U,即可求出偏转板沿束流方向的长度、偏转板出口宽度d2及偏转板的形状。

3.如权利要求1所述的一种广泛适用的离子束电偏转元件设计方法,其特征在于,所需计算参量很少,所求得的偏转板形状具有广泛适用性。

4.如权利要求1所述的一种广泛适用的离子束电偏转元件设计方法,其特征在于,根据所需计算参量求得的偏转板形状,当偏转板所加电压线性变化时,偏转板出口处的束流角度也线性变化,即所设计的偏转板具有很好的线性度。

5.如权利要求1所述的一种广泛适用的离子束电偏转元件设计方法,其特征在于,根据所需计算参量求得的偏转板形状,对斑点离子束具有最大灵敏度。

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