[发明专利]一种发光二极管芯片结构、封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片结构，其特征在于：包括芯片，所述芯片包括导电基板和位于导电基板上的外延层，所述外延层包括P型批覆层和N型批覆层，所述P型批覆层和N型批覆层之间设有发光层；所述芯片还包括第一电极和第二电极，所述第一电极与外延层上方连接，第二电极与导电基板下方连接；所述导电基板下部的两侧及第二电极的两侧沿垂直方向均贯穿有第一凹槽。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于：所述第一凹槽的槽深≥芯片总厚度的1/3；所述第一凹槽的槽宽≥10um；所述第一凹槽的内角≤90°。

3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片结构，其特征在于：所述第一凹槽的槽深为芯片总厚度的1/3；所述第一凹槽的槽宽为10um；所述第一凹槽的内角为90°。

4.一种发光二极管芯片的封装结构，其特征在于：包括权利要求1所述的芯片，所述芯片下方设有封装支架，所述芯片和分装支架间通过导电银胶填充固封，所述导电银胶的填充高度限于第一凹槽顶部。

5.一种制备发光二极管芯片的中间结构，其特征在于：包括芯片，所述芯片包括导电基板和位于导电基板上的外延层，所述外延层包括P型批覆层和N型批覆层，所述P型批覆层和N型批覆层之间设有发光层；所述芯片还包括两个第一电极、和一个第二电极，所述两个第一电极分别位与外延层上方的两端，所述第二电极与导电基板下方连接。

6.根据权利要求5所述的中间结构，其特征在于：所述外延层中间形成一道裂缝，将P型批覆层、N型批覆层及发光层均分为两个部分。

7.根据权利要求5所述的中间结构，其特征在于：所述导电基板下部的两侧及第二电极的两侧沿垂直方向均贯穿有第一凹槽，所述导电基板下部的中间及第二电极的中间贯穿有第二凹槽。

8.根据权利要求7所述的中间结构，其特征在于：所述第二凹槽的槽宽≥20um。

9.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)制作如权利要求5所述的发光二极管芯片的中间结构，使用激光切割将外延层划开，形成如权利要求6所述的中间结构；

(2)利用切割机对第二电极及导电基板进行挖槽，形成如权利要求7所述的中间结构；

(3)沿裂缝底部向第二凹槽顶部垂直劈裂所述中间结构，将其分为两部分，形成两个相同的如权利要求1所述的发光二极管芯片结构。