[发明专利]一种防止逆向电压击穿发光二极管的结构与制作方法

权利要求书

1.一种防止逆向电压击穿发光二极管的结构，其特征在于：包括一基板和一正电极，所述基板上表面键合有外延层，所述外延层包括由下到上依次设置的p-GaP层、P-披覆层、量子阱和N-披覆层，所述N-披覆层上设有一N型奥姆接触金属层，所述N-批覆层、量子阱和P-批覆层的侧壁上设有一绝缘层，所述N型奥姆接触金属层与p-GaP层联接并形成负电极，所述p-GaP层与负电极的接口处形成一高阻值界面，所述外延层还包括一P型奥姆接触金属层，所述P型奥姆接触金属层与p-GaP层连接，所述正电极与P型奥姆接触金属层电连接。

2.根据权利要求1所述的一种制作防止逆向电压击穿发光二极管的结构，其特征在于：所述P型奥姆接触金属层位于p-GaP层与基板之间，所述基板为导电基板，所述正电极位于基板的下表面。

3.根据权利要求1所述的一种制作防止逆向电压击穿发光二极管的结构，其特征在于：所述P型奥姆接触金属层位于p-GaP层上，所述基板为不导电基板，所述正电极位于P型奥姆接触金属层上。

4.一种制作如权利要求2所述的防止逆向电压击穿发光二极管的结构的方法，其特征在于：包括如下步骤：将外延层的P型奥姆接触金属层键合至导电基板上，在N-披覆层上形成一N型奥姆接触金属层，用ICP干蚀刻蚀刻外延层至p-GaP层，在N-批覆层、量子阱和P-批覆层的侧壁做一绝缘层，避免负电极金属黏接于N-批覆层、量子阱和P-批覆层造成漏电，所述N型奥姆接触金属层与p-GaP层联接并形成负电极，所述p-GaP层与负电极的接口处形成一高阻值界面，所述高阻值界面的面积小于P型奥姆接触金属层面积，所述正电极位于导电基板的下表面。

5.根据权利要求4所述的一种制作防止逆向电压击穿发光二极管的结构的方法，其特征在于：所述负电极材料为AuZn、BeAu、GeAu和GaAuNi的合金，熔合温度不超过480℃，不小于400℃，熔合时间不超过10min，不少于3min。

6.根据权利要求4所述的一种制作防止逆向电压击穿发光二极管的结构的方法，其特征在于：所述p-GaP层的掺杂浓度不超过1E19，不低于5E17。

7.一种制作如权利要求3所述的防止逆向电压击穿发光二极管的结构的方法，其特征在于：包括如下步骤：将外延层的p-GaP层键合至不导电基板上，在N-披覆层上形成一N型奥姆接触金属层，用ICP干蚀刻蚀刻外延层至p-GaP层，在N-批覆层、量子阱和P-批覆层的侧壁做一绝缘层，避免负电极金属黏接于N-批覆层、量子阱和P-批覆层造成漏电，所述N型奥姆接触金属层与p-GaP层联接并形成负电极，所述p-GaP层与负电极的接口处形成一高阻值界面，P型奥姆接触金属层位于p-GaP层上，所述正电极位于P型奥姆接触金属层上。

8.根据权利要求7所述的一种制作防止逆向电压击穿发光二极管的结构的方法，其特征在于：所述正电极材料为AuZn和BeAu的合金，所述合金中Zn与Be的比例均为5％，熔合时间为10min；

所述负电极材料为AuZn和BeAu的合金，所述合金中Zn与Be的比例均为5％，熔合时间为10min，所述负电极材料的熔合温度小于正电极材料的熔合温度50℃以上；

所述p-GaP层的掺杂浓度超过5E18。

9.根据权利要求7所述的一种制作防止逆向电压击穿发光二极管的结构的方法，其特征在于：所述正电极材料为AuZn和BeAu的合金，所述合金中Zn与Be的比例均为5％，熔合温度为480℃，所述正电极材料的熔合时间不超过10min；

所述负电极材料为AuZn和BeAu的合金，所述合金中Zn与Be的比例均为5％，熔合温度为480℃，所述负电极材料熔合时间小于正电极材料熔合时间5min以上；

所述p-GaP层的掺杂浓度超过5E18。

10.根据权利要求7所述的一种制作防止逆向电压击穿发光二极管的结构的方法，其特征在于：所述正电极材料为AuZn和BeAu的合金，所述合金中Zn与Be的比例都不高于5％，所述熔合温度为480℃，所述熔合时间不超过10min；

所述负电极材料为AuZn和BeAu的合金，所述合金中Zn与Be的比例都不高于5％，所述负电极材料的合金中Zn的比例低于正电极材料合金中Zn的比例小于2％，所述负电极材料的合金中Zn的比例低于正电极材料合金中Zn的比例小于2％，所述熔合温度为480℃，所述熔合时间不超过10min；

所述p-GaP层的掺杂浓度超过5E18。