[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201510710998.9 | 申请日： | 2011-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN105321961B | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/67;H01L27/11517;H01L27/1156;H01L23/64;H01L29/786;H01L21/02;H01L21/4757;H01L21/477;H01L21/441;H01L21/465 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘膜 氧化物半导体膜 半导体装置 漏电极 源电极 制造 氧化物半导体 去除氧化物 热处理 半导体膜 高可靠性 电连接 电特性 氢原子 氧掺杂 栅电极 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，该方法包括如下步骤：
在单晶半导体衬底上形成第一绝缘膜；
在所述第一绝缘膜上形成氧化物半导体膜；
在惰性气体中然后在含有氧的气体中加热所述氧化物半导体膜；
用干蚀刻或湿蚀刻处理所加热的氧化物半导体膜；以及
在惰性气体中加热所处理的氧化物半导体膜。
2.一种半导体装置的制造方法，该方法包括如下步骤：
在第一晶体管上形成第二晶体管，所述第二晶体管的形成包括：
在所述第一晶体管上形成第一绝缘膜；
在所述第一绝缘膜上形成氧化物半导体膜；
在惰性气体中然后在含有氧的气体中加热所述氧化物半导体膜；
用干蚀刻或湿蚀刻处理所加热的氧化物半导体膜；以及
在惰性气体中加热所处理的氧化物半导体膜，
其中，所述第一晶体管包括单晶半导体衬底中的沟道形成区。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述氧化物半导体膜的形成在200℃以上且400℃以下的温度进行。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其中在处理之前加热所述氧化物半导体膜的步骤在250℃以上且650℃以下的温度进行。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述惰性气体是氮气。
6.根据权利要求1或2所述的方法，其中加热所处理的氧化物半导体膜的步骤在250℃以上且650℃以下的温度进行。
7.根据权利要求1或2所述的方法，还包括：
在形成所述氧化物半导体膜之前，平坦化所述第一绝缘膜。
8.根据权利要求1或2所述的方法，还包括：
在加热所处理的氧化物半导体膜之后，在所述氧化物半导体膜上形成栅极绝缘膜；以及
在所述栅极绝缘膜上形成栅电极。
9.根据权利要求8所述的方法，还包括：
在形成所述栅电极之后进行加热。
10.根据权利要求1或2所述的方法，其中在处理之前加热所述氧化物半导体膜的步骤的进行使得氧被添加到所述氧化物半导体膜。
11.根据权利要求1或2所述的方法，其中加热所处理的氧化物半导体膜的步骤的进行使得氧被添加到所述氧化物半导体膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
