[发明专利]半导体封装

说明书

本发明公开一种半导体封装。所述半导体封装包括基板；第一导线，设置于所述基板上；半导体芯片，设置于所述第一导线的上方；以及阻焊层，所述阻焊层的一部分与所述第一导线的一部分两者共同具有T形剖面。本发明所公开的半导体封装，可改善现有技术中的在覆晶填充材料和导线之间发生的覆晶填充材料分层的问题。

本发明为申请号“201210270189.7”，名称为“半导体封装”，申请日为2012年7月31日，优先权日为2011年12月21日的发明申请的分案申请。

技术领域

本发明有关于一种半导体封装，特别是有关于一种覆晶封装体的阻焊层设计。

背景技术

对现有技术中的覆晶封装体而言，众所周知覆晶填充材料(underfill)通过大幅降低导电凸块的应力的方式来保护导电凸块。然而，覆晶填充材料本身会遭受剪应力(shear stress)或掀拉应力(peeling stress)，因而会导致失效模式(failure mode)。举例来说，具有空隙(voids)或微裂缝(microcracks)的有瑕疵的覆晶填充材料，在高低温循环条件(under temperature cycling condition)下会导致裂缝(cracks)或分层(delamination)等问题。

因为有机覆晶填充材料和无机导线(inorganic conductive trace)之间的热膨胀系数(coefficient of thermal expansion，CTE)的不匹配，所以会在例如覆晶填充材料和导线的两种材料的界面产生分层(delamination)，而上述分层为失效模式的其中一种。当覆晶填充材料分层产生时，因为覆晶填充材料的保护能力丧失和覆晶填充材料分层造成应力上升(stress concentration arising)，而通常导致导电凸块产生疲劳裂缝(fatiguecrack)。

在本技术领域中，需要一种不具有覆晶填充材料分层问题的新的覆晶封装体。

发明内容

由此，本发明的目的在于提供改良式的半导体封装，以解决覆晶填充材料分层的问题。

一种半导体封装的范例实施方式，包括：基板；第一导线，设置于所述基板上；半导体芯片，设置于所述第一导线的上方；以及阻焊层，所述阻焊层的一部分与所述第一导线的一部分两者共同具有T形剖面。

一种半导体封装的另一范例实施方式，包括：基板；第一导线，。

一种半导体封装的另一范例实施方式，包括：基板；第一导线，设置于所述基板上；第二导线，设置于所述基板上；半导体芯片，设置于所述第一导线的上方；阻焊层，所述阻焊层的一部分覆盖所述第一导线的一部分，所述阻焊层不覆盖所述第二导线的任何一个部分。

本发明所公开的半导体封装，可改善现有技术中的在覆晶填充材料和导线之间发生的覆晶填充材料分层的问题。

对于已经阅读后续由各附图及内容所显示的较佳实施方式的本领域的技术人员来说，本发明的各目的是明显的。

附图说明

图1本发明一实施例的半导体封装的俯视图。

图2为沿图1的A-A'切线的剖视图。

图3为沿图1的B-B'切线的剖视图。

图4为本发明另一实施例的半导体封装的俯视图。

图5为沿图4的A-A'切线的剖视图。

图6为沿图4的B-B'切线的剖视图。

具体实施方式