[发明专利]基于IGBT的分步淀积半绝缘多晶硅方法及IGBT终端结构有效
| 申请号： | 201510711308.1 | 申请日： | 2015-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN105390396B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 马亮;周飞宇;肖海波;刘根 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/02;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 张少辉;刘华联 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半绝缘多晶硅 薄膜层 淀积 终端结构 晶粒 第一导电类型 可靠性增强 耐压性能 电阻率 漏电流 衬底 | ||
1.一种基于IGBT的分步淀积半绝缘多晶硅方法，其特征在于，包括：
在第一导电类型衬底顶部淀积第一半绝缘多晶硅薄膜层，其中，所述衬底中在位于所述顶部的一端设置有与第一导电类型相反的第二导电类型本体，所述第一半绝缘多晶硅薄膜层在第一温度下进行淀积；
在所述第一半绝缘多晶硅薄膜层上淀积第二半绝缘多晶硅薄膜层，所述第二半绝缘多晶硅薄膜层在第二温度下进行淀积，其中，所述第一温度大于所述第二温度。
2.根据权利要求1所述的基于IGBT的分步淀积半绝缘多晶硅方法，其特征在于，所述第一温度的范围为630℃～650℃，所述第二温度的范围为600℃～630℃。
3.根据权利要求1所述的基于IGBT的分步淀积半绝缘多晶硅方法，其特征在于，在所述第一半绝缘多晶硅薄膜层上淀积第二半绝缘多晶硅薄膜层之后，还包括：
在所述第二半绝缘多晶硅薄膜层上淀积氮化硅薄膜层。
4.根据权利要求1-3任一所述的基于IGBT的分步淀积半绝缘多晶硅方法，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型本体为P型本体。
5.一种IGBT终端结构，其特征在于，包括：
设置在第一导电类型衬底一端且位于所述衬底中与所述第一导电类型相反的第二导电类型本体，在第一温度下淀积在所述第二导电类型本体的上部的第一半绝缘多晶硅薄膜层，在第二温度下淀积在所述第一半绝缘多晶硅薄膜层上的第二半绝缘多晶硅薄膜层，其中，所述第一温度大于所述第二温度。
6.根据权利要求5所述的IGBT终端结构，其特征在于，所述第一温度的范围为630℃～650℃，所述第二温度的范围为600℃～630℃。
7.根据权利要求5所述的IGBT终端结构，其特征在于，还包括覆盖在所述第二半绝缘多晶硅薄膜层上的氮化硅薄膜层。
8.根据权利要求5所述的IGBT终端结构，其特征在于，所述第二导电类型本体有多个，相邻两个所述第二导电类型本体之间有间隙，所述衬底的外表面还包括在对应所述间隙处设置的氧化层，所述氧化层的宽度大于所述间隙的宽度。
9.根据权利要求5-8任一所述的IGBT终端结构，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型本体为P型本体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
