[发明专利]频率间隔连续可调的V型耦合腔双波长半导体激光器在审
申请号: | 201510711347.1 | 申请日: | 2015-10-28 |
公开(公告)号: | CN105281199A | 公开(公告)日: | 2016-01-27 |
发明(设计)人: | 何建军;胡志朋 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01S5/10 | 分类号: | H01S5/10;H01S5/02 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 林超 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 频率 间隔 连续 可调 耦合 波长 半导体激光器 | ||
1.一种频率间隔连续可调的V型耦合腔双波长半导体激光器,包括第一有源谐振腔(2)、第二有源谐振腔(3)、第一无源滤波器(4)和第二无源滤波器(5);其特征在于:第一有源谐振腔(2)与第二有源谐振腔(3)一端之间以V形相耦合形成多模耦合区(1),多模耦合区(1)的端面具有腔面反射面(7),多模耦合区(1)为四分之一波长耦合区;第一有源谐振腔(2)的另一端和第一无源滤波器(4)之间通过用于部分反射的深刻蚀槽(6)串联构成激光器的一臂;第二有源谐振腔(3)的另一端和第二无源滤波器(5)之间通过用于部分反射的深刻蚀槽(6)串联构成激光器的另一臂;多模耦合区(1)所在的第一有源谐振腔(2)波导与第一有源谐振腔(2)其余波导之间设有用于电隔离的浅刻蚀槽(18),多模耦合区(1)所在的第二有源谐振腔(3)波导与第二有源谐振腔(3)其余波导之间设有用于电隔离的浅刻蚀槽(18)。
2.根据权利要求1所述的一种频率间隔连续可调的V型耦合腔双波长半导体激光器,其特征在于:所述的第一有源谐振腔(2)与第二有源谐振腔(3)具有相等的光学长度。
3.根据权利要求1所述的一种频率间隔连续可调的V型耦合腔双波长半导体激光器,其特征在于:所述的第一无源滤波器(4)和第二无源滤波器(5)的光学长度均为四分之一激光出射波长的奇数倍且互不相同。
4.根据权利要求1所述的一种频率间隔连续可调的V型耦合腔双波长半导体激光器,其特征在于:所述第一有源谐振腔(2)和第一无源滤波器(4)之间的深刻蚀槽(6)与第二有源谐振腔(3)和第二无源滤波器(5)之间的深刻蚀槽(6)的光学长度均为四分之一激光出射波长的奇数倍。
5.根据权利要求1所述的一种频率间隔连续可调的V型耦合腔双波长半导体激光器,其特征在于:所述的多模耦合区(1)上设有相位微调电极(8)。
6.根据权利要求1所述的一种频率间隔连续可调的V型耦合腔双波长半导体激光器,其特征在于:除多模耦合区(1)以外的所述第一有源谐振腔(2)和所述第二有源谐振腔(3)分别设有第一增益调谐电极(9)和第二增益调谐电极(10)。
7.根据权利要求1所述的一种频率间隔连续可调的V型耦合腔双波长半导体激光器,其特征在于:所述的第一无源滤波器(4)和第二无源滤波器(5)上分别设有第一波长微调电极(11)和第二波长微调电极(12)。
8.根据权利要求1所述的一种频率间隔连续可调的V型耦合腔双波长半导体激光器,其特征在于:所述的第一有源谐振腔(2)与第二有源谐振腔(3)均采用有源法布里-珀罗谐振腔。
9.根据权利要求1所述的一种频率间隔连续可调的V型耦合腔双波长半导体激光器,其特征在于:所述的第一无源滤波器(4)和第二无源滤波器(5)均采用无源法布里-珀罗谐振腔。
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