[发明专利]一种Nb‑Si‑Ta‑W合金材料及其制备方法有效
申请号: | 201510712756.3 | 申请日: | 2015-10-28 |
公开(公告)号: | CN105349864B | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 喻吉良;张如;郑欣;李来平;夏明星;王峰;裴雅 | 申请(专利权)人: | 西北有色金属研究院 |
主分类号: | C22C27/02 | 分类号: | C22C27/02;C22C1/02 |
代理公司: | 西安创知专利事务所61213 | 代理人: | 谭文琰 |
地址: | 710016*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 nb si ta 合金材料 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于合金制备技术领域,具体涉及一种Nb-Si-Ta-W合金材料及其制备方法。
背景技术
随着航天航空技术的发展,需要一种超过目前高温合金使用温度极限的材料,这种新材料需具有高熔点、低密度、1300℃~1400℃抗氧化性能和优异的高温强度等特点。目前,人们的研究重点集中在难熔金属间化合物复合材料上,尤其是Nb-Si系合金材料,这些材料具有在1350℃以上服役的潜力。Nb-Si系合金材料与高温合金材料相比有许多优异的性能:密度低、弹性模量大、高温强度高等,因此,许多发达国家已经开展了具有更高承温能力的新型超高温Nb-Si系合金材料的研究。然而,现有技术中Nb-Si系合金材料较差的室温断裂韧性限制了它们的应用,室温断裂韧性和高温强度没有达到良好的平衡,需要进一步提高室温断裂韧性和高温强度。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足,提供一种Nb-Si-Ta-W合金材料,该合金材料在室温条件下的断裂韧性为40MPa·m1/2~52MPa·m1/2,压缩强度为1600MPa~2300MPa,在1200℃条件下压缩强度为870MPa~1570MPa,在1500℃条件下的压缩强度为527MPa~773MPa、氧质量含量为50ppm~70ppm,该Nb-Si-Ta-W合金材料室温断裂韧性、室温压缩强度和高温压缩强度达到了良好平衡,能够应用于1500℃以上的环境中。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种Nb-Si-Ta-W合金材料,其特征在于,由以下原子百分比的原料制成:Si 10%~20%,Ta5%~20%,W 5%~15%,余量为Nb和不可避免的杂质。
上述的一种Nb-Si-Ta-W合金材料,其特征在于,由以下原子百分比的原料制成:Si 12%~18%,Ta 7%~13%,W 8%~12%,余量为Nb和不可避免的杂质。
上述的一种Nb-Si-Ta-W合金材料,其特征在于,由以下原子百分比的原料制成:Si 16%,Ta 11%,W 10%,余量为Nb和不可避免的杂质。
另外,本发明还提供了一种制备上述Nb-Si-Ta-W合金材料的方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一、将硅粉、钽粉、钨粉和铌粉混合均匀后压制成电极,然后将所述电极置于真空自耗电弧熔炼炉中,在真空度小于1×10-3Pa的条件下电弧熔炼2~4次,得到半成品铸锭;所述电弧熔炼的熔炼电流为7kA~9kA,熔炼电压为30V~50V;
步骤二、将步骤一中所述半成品铸锭切割加工成棒材,然后打磨所述棒材去除表面氧化皮,打磨后将棒材在真空度小于5×10-4Pa的条件下进行电子束区域熔炼,冷却后得到Nb-Si-Ta-W合金材料;所述电子束区域熔炼的熔炼电流为0.9A~1.1A,熔炼电压为40kV~60kV。
上述的方法,其特征在于,步骤一中所述硅粉的质量纯度不小于99%,所述钽粉的质量纯度不小于99%,所述钨粉的质量纯度不小于99%,所述铌粉的质量纯度不小于99%。
本发明与现有技术相比具有以下优点:
1、本发明Nb-Si-Ta-W合金材料在室温条件下的断裂韧性为40MPa·m1/2~52MPa·m1/2,压缩强度为1600MPa~2300MPa,在1200℃条件下压缩强度为870MPa~1570MPa,在1500℃条件下的压缩强度为527MPa~773MPa、氧质量含量为50ppm~70ppm,该Nb-Si-Ta-W合金材料室温断裂韧性、室温压缩强度和高温压缩强度达到了良好平衡,能够应用于1500℃以上的环境中。
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