[发明专利]具有金属-绝缘体-硅接触件的存储器件和集成电路器件

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

在衬底中具有源极/漏极区的有源区；

与所述有源区交叉的栅线；

低电阻绝缘层，其与所述源极/漏极区的上表面接触；

位于所述源极/漏极区的上表面上的接触件，所述接触件与所 述低电阻绝缘层接触且包括导电金属；以及

电连接至所述接触件的存储电容。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述低电阻绝缘层包 括相对于所述源极/漏极区具有较小的导带带阶的金属氧化物。

3.根据权利要求2所述的存储器件，其中所述低电阻绝缘层包 括氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)或氧化锌(ZnO)。

4.根据权利要求1所述的存储器件，还包括位于所述低电阻绝 缘层与所述接触件之间的阻挡层。

5.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述低电阻绝缘层位 于所述接触件的下表面与所述源极/漏极区的上表面之间。

6.根据权利要求1所述的存储器件，其中与所述低电阻绝缘层 接触的所述源极/漏极区的上表面不含硅化物。

7.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述源极/漏极区包 括与所述栅线的第一侧相邻的第一源极/漏极区，并且所述低电阻绝 缘层包括与所述第一源极/漏极区的上表面接触的第一低电阻绝缘 层，并且

其中所述存储器件还包括：

与所述栅线的第二侧相邻的第二源极/漏极区；

位于所述第二源极/漏极区上的位线插塞，所述位线插塞 包括导电金属；以及

位于所述位线插塞与所述第二源极/漏极区之间的第二低 电阻绝缘层。

8.根据权利要求7所述的存储器件，还包括位线，其中所述位 线插塞与所述位线具有整体结构，并且所述第二低电阻绝缘层与所述 位线插塞和所述位线接触。

9.根据权利要求1所述的存储器件，还包括位于衬底的外围区 域中的外围有源区，其中所述外围有源区包括外围源极/漏极区以及 位于所述外围源极/漏极区中的硅化物层。

10.一种集成电路器件，包括：

在衬底中的有源区；

所述有源区中的栅电极；

与所述有源区中的栅电极的一侧相邻的源极/漏极区，所述源 极/漏极区包括经掺杂的半导体材料；

位于所述有源区上的层间绝缘层，所述层间绝缘层包括暴露出 所述源极/漏极区的上表面的凹进；

位于所述凹进中且包括第一金属的导电插塞；以及

位于所述凹进中且包括第二金属的绝缘层，所述绝缘层在所述 源极/漏极区的上表面与所述导电插塞的下表面之间延伸，并与所述 经掺杂的半导体材料接触。

11.根据权利要求10所述的集成电路器件，其中所述绝缘层包 括氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)或氧化锌(ZnO)。

12.根据权利要求11所述的集成电路器件，其中所述绝缘层在 与所述源极/漏极区的上表面垂直的竖直方向上的厚度小于2nm。

13.根据权利要求10所述的集成电路器件，其中所述源极/漏 极区包括与所述栅电极的第一侧相邻的第一源极/漏极区，

其中所述集成电路器件还包括与所述栅电极的第二侧相邻的第 二源极/漏极区，并且

其中所述第一源极/漏极区的掺杂浓度低于所述第二源极/漏 极区的掺杂浓度。

14.根据权利要求13所述的集成电路器件，还包括含有电极的 存储电容，其中所述导电插塞电连接至所述存储电容的电极。

15.根据权利要求10所述的集成电路器件，其中所述源极/漏 极区的上表面不含硅化物。