[发明专利]一种N型晶体硅双面太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种N型晶体硅双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，该方法采用以下步骤：

(1)以N型单晶硅片作为基片，将硅片进行制绒，清洗；

(2)将基片正面进行硼源旋转涂覆，烘干；

(3)将基片进行高温掺杂，正面形成B扩散发射极层，同时在正面及背面形成氧化层；

(4)将处理后的基片背面经过酸溶液清洗机，去除背面氧化层；

(5)对基片进行背面POCl₃扩散，背面形成P(磷)扩散层和氧化层；

(6)对基片进行边缘刻蚀，将边缘扩散层刻蚀干净；

(7)将处理后的基片背面经过酸溶液清洗机，将正面和背面氧化层清洗干净；

(8)对基片进行高温氧化，在基片的正面和背面形成氧化层；

(9)在基片的正面及背面先后沉积减反射膜；

(10)在基片的背面印刷电极图形，烘干后在正面印刷电极图形，烧结后形成N型双面电池。

2.根据权利要求1所述的一种N型晶体硅双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的N型单晶硅片的电阻率0.5-12Ω·cm,厚度为80-215μm，硅锭少子寿命>1000μs。

3.根据权利要求1所述的一种N型晶体硅双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(2)中烘干的温度为60-200℃，时间为10-60s。

4.根据权利要求1所述的一种N型晶体硅双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(3)中高温掺杂的温度为900-1050℃，时间为100-300min，方块电阻为45-120Ω/□。

5.根据权利要求1所述的一种N型晶体硅双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(4)中采用浓度为5-10wt％的HF溶液清洗1-3min。

6.根据权利要求1所述的一种N型晶体硅双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(5)中POCl₃扩散温度为750-900℃，扩散时间为60-90min，方块电阻为20-120Ω/□。

7.根据权利要求1所述的一种N型晶体硅双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(6)采用刻蚀机刻蚀基片边缘。

8.根据权利要求1所述的一种N型晶体硅双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(10)中基片的正、背面电极图形均采用90-130根副栅，宽度为30-100μm，主栅根数为3-5根，宽度为0.8-1.6mm。