[发明专利]半导体器件耐压结构

说明书

本发明涉及一种半导体器件耐压结构，该半导体器件耐压结构包括用于布置高压互联线的高压互联区域，且该高压互联区域下方依次为金属层、介质层、场氧化层、漂移区除有源区之外的区域，该半导体器件耐压结构还包括若干导体场板、若干半绝缘电阻场板。其中，导体场板位于半绝缘电阻场板的上方，且导体场板处于介质层中。所有半绝缘电阻场板均与场氧化层相邻。导体场板与半绝缘电阻场板构成若干电容器，且任一电容器至少能与另一电容器传送能量。该半导体器件耐压结构在整体上减小了漂移区表面承受的高压，提高了半导体器件的击穿电压，使得半导体器件能够在更高的电压下工作。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，特别是涉及一种半导体器件耐压结构。

背景技术

在半导体器件中，若需要在较高电压下工作时，需将一部分电极通过高压互联线与外围的高压母线连接。若高压互联线在半导体器件表面覆盖的区域下方包含有源区，则当高压互联线与高压母线连接后，高压会通过接触孔经过介质层、场氧化层而传递到有源区中，从而可能导致有源区发生击穿最终使得整个半导体器件失效。因此，对于需要在较高电压下工作的半导体器件来说，版图中会设置一片专用于布置上述高压互联线的区域。

为防止半导体器件击穿，高压互联线覆盖区域的下方(以下简称半导体器件耐压结构)不能包含有源区，而只能包含漂移区。这部分漂移区则能通过场氧化层和介质层而感应出相应的高压，若这部分漂移区的击穿电压大于所感应出的高压，即可通过漂移区来耗尽高压，从而使半导体器件不再受到高压的影响。因此，高压互联的关键在于提高此半导体器件耐压结构的击穿电压，并使得半导体器件耐压结构的击穿电压大于半导体器件的耐压。

图1为传统方法中以高压横向扩散金属氧化物半导体器件为例，其中的半导体器件耐压结构100的剖视图，包括：P型衬底101、起隔离作用的埋氧化层108、N型顶层硅102、作为半导体器件源极衬底的P阱103、作为半导体器件漏极缓冲层的N阱104、用于布置高压互联线的金属层105、介质层107、场氧化层106。图2为传统高压横向扩散金属氧化物半导体器件的俯视图，其中半导体器件耐压结构100与器件有效工作区域500是隔离开的，即高压互联线没有覆盖有源区区域。在传统的方法中，通过增加介质层107和场氧化层106的厚度来提高整个半导体器件耐压结构100的击穿电压，然而这种方法对于高压和超高压的应用有局限性，一般只能应用于工作电压低于300V的半导体器件中。

发明内容

基于此，本发明提供一种半导体器件耐压结构，能够使半导体器件在更高的电压下工作。

一种半导体器件耐压结构，包括用于布置高压互联线的高压互联区域，且所述高压互联区域下方依次为金属层、介质层、场氧化层、漂移区除有源区之外的区域，所述半导体器件耐压结构还包括若干导体场板、若干半绝缘电阻场板；

所述导体场板位于所述半绝缘电阻场板上方，且所述导体场板处于所述介质层中；所有所述半绝缘电阻场板均与所述场氧化层相邻；所述导体场板与所述半绝缘电阻场板构成若干电容器，且任一所述电容器至少能与另一所述电容器传送能量。

在其中一个实施例中，所述导体场板位于第一层，所述半绝缘电阻场板位于第二层；最接近用于连接高压互联线的电极的导体场板与所述电极用导体连接；在与任一所述半绝缘电阻场板最接近的两个所述导体场板中，靠近用于接高压互联线的电极的所述导体场板与所述半绝缘电阻场板通过导体连接，而另一所述导体场板与所述半绝缘场板构成电容器。

在其中一个实施例中，所述半绝缘电阻场板位于第一层、所述导体场板至少位于两层；任一所述导体场板至少与相邻层中的另一所述导体场板构成电容器；在与任一所述半绝缘电阻场板最接近的两个所述导体场板中，靠近用于接高压互联线的电极的所述导体场板与所述半绝缘电阻场板通过导体连接，而另一所述导体场板与所述半绝缘场板构成电容器。

在其中一个实施例中，同一层中的各所述导体场板大小相同且按相同的间隔依次排列。