[发明专利]五面出光的LED封装结构及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种五面出光的LED封装结构及其制备方法，属于半导体技术领域。

背景技术

随着倒装芯片技术的日益成熟，针对倒装芯片结构的封装也多种多样，行业内多以模顶的方式进行封装。如图1所示，此封装方式需要将倒装芯片1a固晶到陶瓷、氮化铝或硅基板2a上，再将混合有荧光粉的硅胶3a模顶到基板2a上，完成器件的封装。其工艺负责、成本较高、器件尺寸也较大。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种五面出光的LED封装结构及其制备方法，器件尺寸可以做的很小，封装器件尺寸可以达到芯片面积1.2倍以内。

按照本发明提供的技术方案，所述五面出光的LED封装结构，包括倒装芯片，倒装芯片的正面具有芯片焊盘；其特征是：所述倒装芯片的背面和四个侧面均喷涂混有荧光粉的硅胶。

进一步，在所述混有荧光粉的硅胶上表面还设有硅胶层。

所述五面出光的LED封装结构的制备方法，其特征是，包括以下工艺步骤：

步骤1：将倒装芯片排列到耐高温载膜上；

步骤2：将混合荧光粉的硅胶均匀喷涂到贴有倒装芯片（1）的耐高温载膜（5）上，循环喷涂3~10次，喷涂压力为0.5~2kg/cm²，喷粉流量为1~10ml/s；所述混合荧光粉的硅胶中荧光粉的重量比为1～10%；

步骤3：将步骤2处理后的耐高温载膜于80~150℃烘烤1~3小时；

步骤4：利用高速砂轮切割机在耐高温载膜上按照横向和纵向进行切割，将多余的硅胶切割去除。

进一步的，所述步骤2中，喷涂厚度为0.1~0.5mm。

本发明所述五面出光的LED封装结构及其制备方法，通过特有工艺方法将混有荧光粉的硅胶喷涂在倒装芯片表面，通过改变喷涂压力、气流和烘烤工艺，在芯片四周形成硅胶的五面包裹，封装器件五面发光，因没有基板限制，器件尺寸可以做的很小，封装器件尺寸可以达到芯片面积1.2倍以内。

附图说明

图1为现有技术中倒装芯片采用模顶封装的示意图。

图2为本发明所述五面出光的LED封装结一种实施例的示意图。

图3为本发明所述五面出光的LED封装结另一种实施例的示意图。

图4为将倒装芯片排列到耐高温载膜上的示意图。

图5为在耐高温载膜上喷涂混合荧光粉的硅胶的示意图。

图6为耐高温载膜切割去除多余硅胶后的示意图。

具体实施方式

下面结合具体附图对本发明作进一步说明。

如图2所示：本发明所述五面出光的LED封装结构包括倒装芯片1，倒装芯片1的正面具有芯片焊盘2，倒装芯片1的背面和四个侧面均喷涂混有荧光粉的硅胶3。

如图3所示，在所述混有荧光粉的硅胶3上表面还设有硅胶层4。

实施例一：一种五面出光的LED封装结构的制备方法，包括以下工艺步骤：

步骤1：如图4所示，利用分选排列设备将倒装芯片1按照固定的周期排列到耐高温载膜上5；

步骤2：如图5所示，利用喷粉设备将混合荧光粉的硅胶均匀喷涂到贴有倒装芯片1的耐高温载膜5上，需要循环喷涂3次，喷涂压力为0.5kg/cm²，喷粉流量为1ml/s，可以获得较均匀的荧光粉覆盖层，喷涂厚度为0.1mm；所述混合荧光粉的硅胶中荧光粉的重量比为1%；

步骤3：将步骤2处理后的耐高温载膜5放到真空烤箱内烘烤1小时，烘烤温度为150℃；

步骤4：如图6所示，利用高速砂轮切割机在耐高温载膜5上按照横向和纵向进行切割，将多余的硅胶切割去除，形成独立的器件结构。

实施例二：一种五面出光的LED封装结构的制备方法，包括以下工艺步骤：

步骤1：如图4所示，利用分选排列设备将倒装芯片1按照固定的周期排列到耐高温载膜上5；

步骤2：如图5所示，利用喷粉设备将混合荧光粉的硅胶均匀喷涂到贴有倒装芯片1的耐高温载膜5上，需要循环喷涂10次，喷涂压力为2kg/cm²，喷粉流量为10ml/s，可以获得较均匀的荧光粉覆盖层，喷涂厚度为0.5mm；所述混合荧光粉的硅胶中荧光粉的重量比为10%；

步骤3：将步骤2处理后的耐高温载膜5放到真空烤箱内烘烤3小时，烘烤温度为80℃；