[发明专利]一种二硅化钼/碳化硅复合多孔陶瓷的制备方法

权利要求书

1.一种二硅化钼/碳化硅复合多孔陶瓷的制备方法，其特征在于，它的步骤如下：

（1）将Mo粉、Si粉、C粉、SiC粉及B粉球磨混料，所述Mo粉、Si粉、C粉、SiC粉及B粉的重量比为50-80：20-35：1-10：1-30：1-5，混合时间为12-72hr，加入Mo粉、Si粉、C粉、SiC粉及B粉总重量5-17%的粘结剂，并模压成型，得到坯料；

（2）将坯料室温晾干，然后入烘箱烘干1-72hr；

（3）将烘干后的坯料移入铺有Mo粉、Si粉、C粉、SiC粉及B粉总重量2-20%的金属Si粉的真空烧结炉中，保持真空度在10^-2-10^-3Pa，升温速率为2-6℃/min；

（4）在1100-1480℃保温10-60min，并降低真空度≥10^-1Pa保持；升温至1500-1650℃保温10-60min，并降低真空度≥10^-1Pa保持；升温至1650-1700℃保温10-40min，提高真空度≤10^-2Pa保持，冷却后获得MoSi₂/SiC复合多孔陶瓷。

2.一种二硅化钼/碳化硅复合多孔陶瓷的制备方法，其特征在于，它的步骤如下：

（1）将Mo粉、Si粉和C粉球磨混料，所述Mo粉、Si粉、C粉的重量比为50-80：20-35：1-10，混合时间为12-72hr，加入Mo粉、Si粉、C粉总重量5-17%的粘结剂，并模压成型，得到坯料；

（2）将坯料室温晾干，然后入烘箱烘干1-72hr；

（3）将烘干后的坯料移入铺有Mo粉、Si粉、C粉总重量2-20%的金属Si粉的真空烧结炉中，保持真空度在10^-2-10^-3Pa，升温速率为2-6℃/min；

（4）在1100-1480℃保温10-60min，并降低真空度≥10^-1Pa保持；升温至1500-1650℃保温10-60min，并降低真空度≥10^-1Pa保持；升温至1650-1700℃保温10-40min，提高真空度≤10^-2Pa保持，冷却后获得MoSi₂/SiC复合多孔陶瓷。

3.一种二硅化钼/碳化硅复合多孔陶瓷的制备方法，其特征在于，它的步骤如下：

（1）将Mo粉、Si粉、C粉、SiC粉球磨混料，所述Mo粉、Si粉、C粉、SiC粉的重量比为50-80：20-35：1-10：1-30，混合时间为12-72hr，加入Mo粉、Si粉、C粉、SiC粉总重量5-17%的粘结剂，并模压成型，得到坯料；

（2）将坯料室温晾干，然后入烘箱烘干1-72hr；

（3）将烘干后的坯料移入铺有Mo粉、Si粉、C粉、SiC粉总重量2-20%的金属Si粉的真空烧结炉中，保持真空度在10^-2-10^-3Pa，升温速率为2-6℃/min；

（4）在1100-1480℃保温10-60min，并降低真空度≥10^-1Pa保持；升温至1500-1650℃保温10-60min，并降低真空度≥10^-1Pa保持；升温至1650-1700℃保温10-40min，提高真空度≤10^-2Pa保持，冷却后获得MoSi₂/SiC复合多孔陶瓷。

4.一种二硅化钼/碳化硅复合多孔陶瓷的制备方法，其特征在于，它的步骤如下：

（1）将Mo粉、Si粉、C粉及B粉球磨混料，所述Mo粉、Si粉、C粉及B粉的重量比为50-80：20-35：1-10：1-5，混合时间为12-72hr，加入Mo粉、Si粉、C粉及B粉总重量5-17%的粘结剂，并模压成型，得到坯料；

（2）将坯料室温晾干，然后入烘箱烘干1-72hr；

（3）将烘干后的坯料移入铺有Mo粉、Si粉、C粉及B粉总重量2-20%的金属Si粉的真空烧结炉中，保持真空度在10^-2-10^-3Pa，升温速率为2-6℃/min；

（4）在1100-1480℃保温10-60min，并降低真空度≥10^-1Pa保持；升温至1500-1650℃保温10-60min，并降低真空度≥10^-1Pa保持；升温至1650-1700℃保温10-40min，提高真空度≤10^-2Pa保持，冷却后获得MoSi₂/SiC复合多孔陶瓷。