[发明专利]一种低杂质扩散、低位错密度的G6高纯高效坩埚的制备方法

权利要求书

1.一种低杂质扩散、低位错密度的G6高纯高效坩埚的制备方法，其特征为，其制备方法如下：

（1）在石英坩埚坯料底部刷涂或喷涂一层粘结浆料，所述粘结浆料由高纯石英砂料浆和去离子水的混合而成，所述高纯石英砂料浆和去离子水的质量比为1：3~1：6，所述高纯石英砂料浆的固含量为80~85%，高纯石英砂料浆中高纯石英砂的粒度为300~400目；

（2）在经步骤（1）涂好粘结浆料的石英坩埚坯料底部再铺设一层高纯球状原生硅料，作为形核源层，所述高纯球状原生硅料采用流化床法生产，纯度在6N~9N之间，粒径在50~100目之间，高纯球状原生硅料的用量在150~300g/锅之间；

（3）将经步骤（2）铺好形核源层的普通石英坩埚放入烧结炉内，在空气气氛下对形核源层做适当的钝化处理，控制钝化温度为500~700℃，钝化时间为2~4h，获得钝化好的高效坩埚；

（4）在钝化好的高效坩埚侧壁上刷涂或喷涂一层高纯涂层，并控制烘干温度在150~250℃之间，做烘干处理得坩埚成品，所述高纯涂层为高纯石英粉与去离子水混合而成，所述高纯石英粉与去离子水的质量比为1：8~1：10，所述高纯石英粉的纯度大于等于5.5N，高纯石英粉中铁含量小于5ppm，高纯石英粉中石英砂粒径在400~800目之间，高纯石英粉的用量在200~400g/锅之间，所述高纯涂层的厚度在1.5~2.5mm之间。

2.上述一种低杂质扩散、低位错密度的G6高纯高效坩埚的制备方法，其中，所述石英坩埚坯料的外径尺寸为A，所述A在1045~1050mm之间，上端口内径的尺寸为B，所述B在1000~1010mm之间，坩埚壁厚度为C，所述C在18~23mm之间，下端口内径尺寸D，所述D在995~1005mm之间。

3.如权利要求1所述的一种低杂质扩散、低位错密度的G6高纯高效坩埚的制备方法，其特征为，优选地，所述高纯石英砂料浆和去离子水的质量比为1：4。

4.如权利要求1所述的一种低杂质扩散、低位错密度的G6高纯高效坩埚的制备方法，其特征为，优选地，所述高纯球状原生硅料的粒径在50~70目之间。

5.如权利要求1所述的一种低杂质扩散、低位错密度的G6高纯高效坩埚的制备方法，其特征为，优选地，所述高纯球状原生硅料的用量为250g/埚。

6.如权利要求1所述的一种低杂质扩散、低位错密度的G6高纯高效坩埚的制备方法，其特征为，优选地，所述钝化温度为550℃，钝化时间为2h。

7.如权利要求1所述的一种低杂质扩散、低位错密度的G6高纯高效坩埚的制备方法，其特征为，优选地，所述高纯石英粉与去离子的质量比为1：8，所述高纯石英粉用量为240g/埚。

8.如权利要求1所述的一种低杂质扩散、低位错密度的G6高纯高效坩埚的制备方法，其特征为，优选地，所述高纯涂层的厚度为2mm。

9.如权利要求1所述的一种低杂质扩散、低位错密度的G6高纯高效坩埚的制备方法，其特征为，优选地，所述烘干温度在180℃，所述烘干方式为微波快速烘干。