[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板及其制成方法在审
| 申请号： | 201510716083.9 | 申请日： | 2015-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN105185840A | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 周志超;武岳 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/40;H01L29/417;H01L29/423;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 518006 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 阵列 及其 制成 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括栅极、源极和漏极，所述源极和漏极均设置在所述栅极的同一侧，其中，
所述栅极包括依序叠置的第一缓冲层、第一铜层、第二铜层及第二缓冲层，且所述第二缓冲层设置在靠近所述源极和漏极一侧；
和/或，所述源极和漏极均包括依序叠置的第一缓冲层、第一铜层、第二铜层及第二缓冲层，且所述第一缓冲层设置在靠近所述栅极一侧；
所述第一铜层以第一功率沉积得到，所述第二铜层以第二功率沉积得到，且所述第一功率高于所述第二功率。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一功率位于50KW至70KW之间，所述第二功率位于20KW至40KW之间。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一缓冲层的厚度位于至之间，所述第一铜层的厚度位于至之间，所述第二铜层的厚度位于至之间，所述第二缓冲层的厚度位于至之间。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层为钼膜、钛膜、或叠置的钼膜和钛膜。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一缓冲层、第一铜层、第二铜层及第二缓冲层中的至少一层由物理气相沉积制成。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括设置在所述栅极与所述源极和漏极之间的栅极绝缘层和沟道层。
7.一种阵列基板，其特征在于，包括基板和设置于基板上的多个薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管为权利要求1至6任一项所述的薄膜晶体管。
8.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上形成薄膜晶体管的栅极；
在所述栅极上形成所述薄膜晶体管的源极和漏极；
其中，所述形成栅极，和/或形成源极和漏极包括：
依序形成第一缓冲层、第一铜层、第二铜层和第二缓冲层，其中，以第一功率制成，所述第二铜层以第二功率制成，且所述第一功率高于所述第二功率；
在所述第二缓冲层上涂覆光阻，并进行蚀刻。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一缓冲层、第一铜层、第二铜层及第二缓冲层中的至少一层由物理气相沉积制成。
10.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述第一功率位于50KW至70KW之间，所述第二功率位于20KW至40KW之间，所述第一缓冲层的厚度位于至之间，所述第一铜层的厚度位于至之间，所述第二铜层的厚度位于至之间，所述第二缓冲层的厚度位于至之间。
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