[发明专利]影像传感芯片封装结构及封装方法在审
申请号: | 201510716297.6 | 申请日: | 2015-10-28 |
公开(公告)号: | CN105226074A | 公开(公告)日: | 2016-01-06 |
发明(设计)人: | 王之奇;谢国梁;金之雄;李俊杰 | 申请(专利权)人: | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 215021 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像 传感 芯片 封装 结构 方法 | ||
1.一种影像传感芯片封装结构,其特征在于,包括:
影像传感芯片,其具有相对的第一表面和第二表面,在第一表面上设置有影像传感区以及位于影像传感区周围的焊垫;
从第二表面贯通至焊垫的通孔;
设置于通孔侧壁以及第二表面上的钝化层;
设置于通孔底面以及钝化层上的电连线层;
电连接于电连线层的焊接凸点;
位于电连线层与钝化层之间的缓冲层。
2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,还包括:遮光层,位于第二表面上且覆盖所述影像传感区。
3.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,所述遮光层的材质为金属。
4.根据权利要求3所述的封装结构,其特征在于,所述金属为经过表面黑化处理的Al。
5.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述缓冲层的材质为感光胶。
6.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,还包括覆盖电连线层并填充通孔的阻焊层。
7.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,还包括与所述影像传感芯片对位压合的保护盖板。
8.根据权利要求7所述的封装结构,其特征在于,所述保护盖板为光学玻璃,光学玻璃的至少一个表面上设置有防反射层。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的封装结构,其特征在于,所述缓冲层的厚度范围为5-25微米。
10.一种影像传感芯片的封装方法,其特征在于,包括:
提供晶圆,具有多颗阵列排布的影像传感芯片,其具有相对的第一表面和第二表面,影像传感芯片具有影像传感区以及位于影像传感区周围的焊垫,所述影像传感区以及焊垫位于第一表面;
提供保护盖板,并将其与所述晶圆对位压合;
从第二表面形成贯通至焊垫的通孔;
在通孔侧壁以及通孔两侧的第二表面上形成钝化层;
在第二表面上的钝化层上形成缓冲层;
形成覆盖通孔内壁及缓冲层的电连线层;
在电连线层上形成与所述电连线层电连接的焊接凸点。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,在形成通孔之前,还包括:在第二表面对应影像传感区的位置形成遮光层。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,形成遮光层的步骤包括:
在第二表面上溅射金属层,并进行刻蚀,以在对应影像传感区的位置形成遮光层。
13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述金属层为Al,在溅射Al的金属层之后,还进行表面黑化处理,而后进行刻蚀。
14.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,在覆盖电连线层之后,形成焊接凸点之前,还包括:
形成阻焊层,并在第二表面上的阻焊层中形成开口;
在开口中形成焊接凸点。
15.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述保护盖板为光学玻璃,光学玻璃的至少一个表面上设置有防反射层。
16.根据权利要求10-15中任一项所述的方法,其特征在于,在通孔侧壁以及通孔两侧的第二表面上形成钝化层的步骤包括:
沉积钝化层;
刻蚀去除通孔底部的钝化层。
17.根据权利要求10-15中任一项所述的方法,其特征在于,所述缓冲层的材质为感光胶,在第二表面上的钝化层上形成缓冲层的步骤包括:
在第二表面上旋涂感光胶;
通过曝光显影工艺形成缓冲层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的