[发明专利]晶圆的刻蚀装置及刻蚀方法

权利要求书

1.一种晶圆的刻蚀装置，包括刻蚀腔体，其特征在于，所述刻蚀装置还包括设置于所述刻蚀腔体内且可旋转的放置台，所述放置台用于承载晶圆，且在晶圆的刻蚀过程中，所述放置台至少顺时针和逆时针各旋转一圈；

所述刻蚀装置还包括设置于所述放置台的上方且正对所述放置台的中心的输气结构，所述输气结构用于向所述刻蚀腔体内输送刻蚀气体；所述输气结构的出气端包括中心出气孔，及设置于所述中心出气孔外周的多个外周出气孔，所述中心出气孔用于向晶圆的中心区域输送刻蚀气体，所述外周出气孔用于向晶圆的边缘区域输送刻蚀气体；

所述输气结构还包括内轴、中筒和外筒，其中，内轴的内轴底端为圆锥体状，其上设有第一通孔；中筒的中筒底端为漏斗状，其上设有第二通孔；外筒的底端也为漏斗状；

所述内轴相对于所述中筒转动，所述内轴和所述中筒做为一体相对于所述外筒上下运动。

2.根据权利要求1所述的晶圆的刻蚀装置，其特征在于，所述放置台顺时针旋转的圈数与逆时针旋转的圈数相等。

3.根据权利要求2所述的晶圆的刻蚀装置，其特征在于，所述放置台交替进行顺时针旋转与逆时针旋转。

4.根据权利要求2所述的晶圆的刻蚀装置，其特征在于，所述放置台顺时针旋转的圈数与逆时针旋转的圈数均为整数。

5.根据权利要求2所述的晶圆的刻蚀装置，其特征在于，所述放置台旋转一圈所用的时间大于或等于0.1s。

6.根据权利要求5所述的晶圆的刻蚀装置，其特征在于，所述放置台旋转一圈所用的时间大于或等于1s。

7.根据权利要求1～6任一项所述的晶圆的刻蚀装置，其特征在于，所述刻蚀装置还包括电机和转动轴；所述电机设置于所述刻蚀腔体的外部，所述转动轴的一端穿过所述刻蚀腔体与所述放置台的底部相连，所述转动轴的另一端与所述电机相连；所述电机用于驱动所述转动轴进行转动，所述转动轴用于在所述电机的驱动下带动所述放置台旋转。

8.根据权利要求1～6任一项所述的晶圆的刻蚀装置，其特征在于，所述刻蚀装置还包括设置于所述刻蚀腔体外的温度控制器，所述温度控制器通过线路与所述放置台相连，所述温度控制器用于控制所述放置台的温度。

9.一种晶圆的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括：采用权利要求1～8任一项所述的晶圆的刻蚀装置对晶圆进行刻蚀，在刻蚀过程中，使所述刻蚀装置中用于放置晶圆的放置台至少顺时针和逆时针各旋转一圈。