[发明专利]一种新型太阳能电池器件及其制备方法

权利要求书

1.一种新型太阳能电池器件，其特征在于，包括顺序层状铺设的阳极、空穴传输层、活性层、电子传输层、透明电极及基板，

所述的空穴传输层为：由碳纳米管与P型半导体混合成的一层结构，或由单独的碳纳米管层与P型半导体层组成的两层结构。

2.根据权利要求1所述的一种新型太阳能电池器件，其特征在于，所述的空穴传输层为由碳纳米管与P型半导体混合成的一层结构时，此时所述的空穴传输层厚度为2-500纳米之间，碳纳米管与P型半导体重量比在1:100与100:1之间。

3.根据权利要求1所述的一种新型太阳能电池器件，其特征在于，所述的空穴传输层为由单独的碳纳米管层与P型半导体层组成的两层结构时，所述的碳纳米管层的厚度为1-200纳米，所述的P型半导体层厚度为0.5-300纳米。

4.根据权利要求3所述的一种新型太阳能电池器件，其特征在于，所述的碳纳米管层与活性层相连接，所述的P型半导体层与阳极相连，或者，

所述的碳纳米管层与阳极相连接，所述的P型半导体层与活性层相连接，或者，

所述的新型太阳能电池器件包括顺序层状铺设的阳极、电子传输层、活性层、碳纳米管层、P型半导体层、透明电极及基板。

5.根据权利要求1所述的一种新型太阳能电池器件，其特征在于，所述的碳纳米管选自单壁碳纳米管、双壁碳纳米管或多壁碳纳米管中的一种或几种，所述的碳纳米管的直径为0.4-20纳米。

6.根据权利要求1所述的一种新型太阳能电池器件，其特征在于，所述的P型半导体选自P型石墨烯量子点、P型氧化石墨烯、P型氧化镍或P型五氧化二钒中的一种或几种；所述的P型半导体能带宽度为2.0-4.5电子伏特。

7.根据权利要求1所述的一种新型太阳能电池器件，其特征在于，所述的透明电极为铟锡氧化物ITO电极或者FTO电极，所述的基板为玻璃，所述的活性层材料选自甲基氨基碘化铅、P3HT或PCBM，所述的电子传输层材料选自氧化锌或氧化钛，所述的阳极材料选自银、铝或碳材料。

8.根据权利要求1所述的一种新型太阳能电池器件，其特征在于，所述的空穴传输层与阳极之间直接连接，或通过在空穴传输层与阳极之间设置保护层使空穴传输层与阳极间接连接。

9.根据权利要求7所述的一种新型太阳能电池器件，其特征在于，所述的保护层的材料选择PMMA。

10.一种如权利要求1所述的新型太阳能电池器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将透明电极设置在基板上，并清洗干净，吹干，然后用氧等离子体处理两分钟；

2)通过热分解在透明电极表面形成一层致密薄膜，然后在致密薄膜表面通过旋涂法形成介孔薄膜，致密薄膜与介孔薄膜组成所述的电子传输层；

3)通过旋涂法在电子传输层表面形成活性层；

4)通过压印方式或旋涂方式将碳纳米管薄膜转移到活性层表面，旋涂形成P型半导体层，形成空穴传输层，或者，

将碳纳米管与P型半导体混合后，以压印或旋涂方式将碳纳米管与P型半导体混合物在活性层表面形成空穴传输层；

5)在空穴传输层上通过旋涂法形成保护层，最后与阳极相连，或者，在空穴传输层上直接连接阳极。