[发明专利]一种检测光刻机焦距偏移量的方法

权利要求书

1.一种检测光刻机焦距偏移量的方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S1，建立焦距偏移量与相对于套刻精度的线性模型；

步骤S2，检测光刻机焦距偏移量时，量测套刻精度，并将所述套刻精度代入所述线性模型，计算焦距偏移量。

2.根据权利要求1所述的检测光刻机焦距偏移量的方法，其特征在于，所述步骤S1中包括：

步骤S11，使用光罩对硅片进行第一层曝光；每个曝光单元的焦距条件设定不一致；

步骤S12，施加一个X方向和Y方向的偏移量后，直接继续对所述硅片进行第二层曝光；其中所述偏移量为方向相反的楔角模块的套刻精度的内外框重叠在一起；每个曝光单元的焦距条件设定不一致；

步骤S13，量测每个曝光单元叠在一起楔角相反的模块之间的套刻精度为ΔX1、ΔY1；

步骤S14，量测每个曝光单元叠在一起没有楔角的模块之间的套刻精度为ΔX2、ΔY2。

3.根据权利要求2所述的检测光刻机焦距偏移量的方法，其特征在于，所述步骤S1中：

建立所述线性模型时，每个曝光单元ΔX’＝ΔX1-ΔX2；ΔY’＝ΔY1-ΔY2，并根据每个曝光单元焦距条件建立ΔX’、ΔY’分别和焦距条件Z的线性模型。

4.根据权利要求3所述的检测光刻机焦距偏移量的方法，其特征在于，所述步骤S2中：

检测光刻机焦距偏移量时，量测叠在一起楔角相反的模块之间的套刻精度为Δx1和Δy1，没有叠在一起没有楔角的模块之间的套刻精度Δx2和Δy2，根据Δx’＝Δx1-Δx2和Δy’＝Δy1-Δy2计算出Δx’和Δy’，将Δx’和Δy’代入所述线性模型，计算所述焦距偏移量。

5.根据权利要求1所述的检测光刻机焦距偏移量的方法，其特征在于，所述方法中包括：

进行第一层曝光和第二层曝光时，相同的曝光单元的所述焦距条件一致。

6.根据权利要求1所述的检测光刻机焦距偏移量的方法，其特征在于，所述方法中包括：

建立所述线性模型时，不同曝光单元的所述焦距条件不同。

7.根据权利要求1所述的检测光刻机焦距偏移量的方法，其特征在于，所述方法中包括：

检测光刻机焦距偏移量时，各个曝光单元的焦距条件相同。