[发明专利]一种H3PO4槽小换酸的控制方法

说明书

技术领域

本发明涉及技术方法技术领域，尤其涉及一种H3PO4槽小换酸的控制方法。

背景技术

目前H3PO4槽的小换酸的控制方法是将H3PO4槽跑货量换算成Nitride(氮化物)的刻蚀量，当累积Nitride(氮化物)的刻蚀量达到设定值时触发小换酸。所以就会出现一种情况，当H3PO4槽中货多的时候会频繁的触发小换酸，当货少的时候小换酸频率会下降。工艺上同时管控H3PO4槽对Nitride(氮化物)和SiO2的刻蚀速率，两者刻蚀速率有一定的选择比，而有些工艺步骤对SiO2的刻蚀速率很敏感。随着H3PO4槽跑货量的增加和空闲时间的增加，SiO2的刻蚀速率都会下降，而H3PO4槽小换酸可以提高对SiO2的刻蚀速率，用来实现对SiO2刻蚀速率波动的控制。但是目前的H3PO4槽小换酸的控制方法只包含了跑货量对SiO2的刻蚀速率的影响，而没有包含空闲时间对SiO2的刻蚀速率的影响，就会出现SiO2刻蚀速率波动的不稳定，不利于对SiO2的刻蚀速率很敏感的工艺步骤的管控。

发明内容

鉴于上述问题，本发明提供一种H3PO4槽小换酸的控制方法，在将H3PO4槽的跑货量换算成氮化物的第一刻蚀量的基础上，将H3PO4槽的累积的空闲时间换算成氮化物的第二刻蚀量，通过判断所述第一刻蚀量与所述第二刻蚀量之和是否达到设定的第一阈值来判断是否触发小换酸，该技术方案具体为：

一种H3PO4槽小换酸的控制方法，其中，所述控制方法包括：

记录H3PO4槽的跑货量，根据所述跑货量计算氮化物的第一刻蚀量；

记录H3PO4槽的累积的空闲时间，根据所述累积的空闲时间计算氮化物的第二刻蚀量；

根据所述第一刻蚀量和所述第二刻蚀量计算所述氮化物的刻蚀量；

判断所述氮化物的刻蚀量是否大于第一阈值，若不是，则不触发小换酸操作，继续执行所述第一刻蚀量、所述第二刻蚀量及所述氮化物的刻蚀量的累积计算操作；若是，则执行H3PO4槽小换酸，且所述第一刻蚀量、所述第二刻蚀量及所述氮化物的刻蚀量均归零。

上述的H3PO4槽小换酸的控制方法，其中，所述氮化物的所述刻蚀量为所述第一刻蚀量与所述第二刻蚀量之和。

上述的H3PO4槽小换酸的控制方法，其中，方法中判断所述氮化物的刻蚀量是否大于第一阈值前需进行的步骤还包括：

设定第一阈值。

上述的H3PO4槽小换酸的控制方法，其中，所述方法中氮化物为氮化硅。

上述的H3PO4槽小换酸的控制方法，其中，所述方法中还包括对SiO2进行刻蚀。

上述的H3PO4槽小换酸的控制方法，其中，所述方法中利用跑货程式中设定的单片硅片换算成氮化物的刻蚀量根据所述H3PO4槽的跑货量计算氮化物的第一刻蚀量。上述的H3PO4槽小换酸的控制方法，其中，所述方法中利用设定的单位空闲时间换算成氮化物的刻蚀量根据所述H3PO4槽的空闲时间计算氮化物的第二刻蚀量。上述技术方案具有如下优点或有益效果：

本技术方案，优化了H3PO4槽小换酸的控制方法，实现了H3PO4槽对SiO2刻蚀速率的稳定控制。

附图说明

参考所附附图，以更加充分的描述本发明的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本发明范围的限制。

图1是现有技术中H3PO4槽小换酸的控制方法流程图；

图2是本发明一实施例中H3PO4槽小换酸的控制方法流程图。

具体实施方式

参见图2所示结构，为本发明提供的H3PO4槽小换酸的控制方法流程图，该控制方法具体包括：

首先，计算氮化物的刻蚀量，其中，氮化物的刻蚀量包括两部分，第一部分为根据H3PO4槽的跑货量换算成的氮化物的第一刻蚀量，第二部分为根据H3PO4槽的空闲时间换算成的氮化物的刻蚀量第二，具体为：

记录H3PO4槽的跑货量，将记录的H3PO4槽的跑货量换算成氮化物的第一刻蚀量，与此同时，记录H3PO4槽的空闲时间，并根据该H3PO4槽的空闲时间计算氮化物的第二刻蚀量，继续，计算氮化物的总的刻蚀量，氮化物的总的刻蚀量为氮化物的第一刻蚀量与第二刻蚀量之和。