[发明专利]一种半导体激光器直接倍频装置在审

专利信息
申请号: 201510720398.0 申请日: 2015-10-30
公开(公告)号: CN105356215A 公开(公告)日: 2016-02-24
发明(设计)人: 孟慧成;阮旭;谭昊;杜维川;余俊宏;王昭;吴华玲;高松信;武德勇 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
主分类号: H01S3/0941 分类号: H01S3/0941;H01S3/109
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 卿诚
地址: 621000 四川*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 半导体激光器 直接 倍频 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体激光器直接倍频装置,其特征是:半导体激光器发射出的激光束依次经过光谱合束及压窄机构、隔离器、耦合透镜、TEC温度控制模块、非线性倍频晶体和第二耦合输出镜后输出。

2.根据权利要求1所述的一种半导体激光器直接倍频装置,其特征是:所述光谱合束及压窄机构包括有第一准直镜、第二准直镜、空间变换透镜、光栅和第一耦合输出镜;由半导体激光器发出的激光束依次透射过第一准直镜、第二准直镜和空间变换透镜后射入光栅;所述光栅将入射的激光束反射至第一耦合输出镜输出至隔离器;所述半导体激光器和光栅分别位于空间变换透镜两侧的焦距处。

3.根据权利要求1所述的一种半导体激光器直接倍频装置,其特征是:所述隔离器包括反射镜和λ∕2波片;从光谱合束及压窄机构输出的激光束由反射镜反射到λ∕2波片;反射后的激光束透射过λ∕2波片后输出到耦合透镜。

4.根据权利要求2所述的一种半导体激光器直接倍频装置,其特征是:所述第一耦合输出镜针对P光或S光的透射率为5%-15%。

5.根据权利要求1所述的一种半导体激光器直接倍频装置,其特征是:所述半导体激光器的前腔反射率小于第一耦合输出镜。

6.根据权利要求1所述的一种半导体激光器直接倍频装置,其特征是:所述第二耦合输出镜上镀有针对基频光具有高反射率并且针对倍频光具有高透射率的膜。

7.根据权利要求1所述的一种半导体激光器直接倍频装置,其特征是:所述反射镜上镀有针对S偏振光或P偏振光具有高反射率的膜。

8.根据权利要求1所述的一种半导体激光器直接倍频装置,其特征是:所述非线性倍频晶体为BBO或LBO或KTP或PPKTP或KTA或KN。

9.根据权利要求1所述的一种半导体激光器直接倍频装置,其特征是:所述非线性倍频晶体的前后端面针对基频光和倍频光进行增透处理,对非线性倍频晶体其余表面针对倍频光进行增反处理后形成非线性倍频晶体波导层。

10.根据权利要求1所述的一种半导体激光器直接倍频装置,其特征是:TEC温度控制模块对非线性倍频晶体进行整体温控。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院应用电子学研究所,未经中国工程物理研究院应用电子学研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510720398.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top