[发明专利]一种半导体激光器直接倍频装置

权利要求书

1.一种半导体激光器直接倍频装置，其特征是：半导体激光器发射出的激光束依次经过光谱合束及压窄机构、隔离器、耦合透镜、TEC温度控制模块、非线性倍频晶体和第二耦合输出镜后输出。

2.根据权利要求1所述的一种半导体激光器直接倍频装置，其特征是：所述光谱合束及压窄机构包括有第一准直镜、第二准直镜、空间变换透镜、光栅和第一耦合输出镜；由半导体激光器发出的激光束依次透射过第一准直镜、第二准直镜和空间变换透镜后射入光栅；所述光栅将入射的激光束反射至第一耦合输出镜输出至隔离器；所述半导体激光器和光栅分别位于空间变换透镜两侧的焦距处。

3.根据权利要求1所述的一种半导体激光器直接倍频装置，其特征是：所述隔离器包括反射镜和λ∕2波片；从光谱合束及压窄机构输出的激光束由反射镜反射到λ∕2波片；反射后的激光束透射过λ∕2波片后输出到耦合透镜。

4.根据权利要求2所述的一种半导体激光器直接倍频装置，其特征是：所述第一耦合输出镜针对P光或S光的透射率为5%-15%。

5.根据权利要求1所述的一种半导体激光器直接倍频装置，其特征是：所述半导体激光器的前腔反射率小于第一耦合输出镜。

6.根据权利要求1所述的一种半导体激光器直接倍频装置，其特征是：所述第二耦合输出镜上镀有针对基频光具有高反射率并且针对倍频光具有高透射率的膜。

7.根据权利要求1所述的一种半导体激光器直接倍频装置，其特征是：所述反射镜上镀有针对S偏振光或P偏振光具有高反射率的膜。

8.根据权利要求1所述的一种半导体激光器直接倍频装置，其特征是：所述非线性倍频晶体为BBO或LBO或KTP或PPKTP或KTA或KN。

9.根据权利要求1所述的一种半导体激光器直接倍频装置，其特征是：所述非线性倍频晶体的前后端面针对基频光和倍频光进行增透处理，对非线性倍频晶体其余表面针对倍频光进行增反处理后形成非线性倍频晶体波导层。

10.根据权利要求1所述的一种半导体激光器直接倍频装置，其特征是：TEC温度控制模块对非线性倍频晶体进行整体温控。