[发明专利]质量流量计的标定方法

说明书

本发明提供了一种质量流量计的标定方法，包括以下步骤：a）打开主抽，在蝶阀满开时，设定气体A的质量流量计值为标准工艺参数下的流量n_A；b）待气体稳定后，记录测量气体A的真空压力计压强P_A；c）关闭气体A的质量流量计，用同样的方法设定气体B的质量流量计为标准工艺参数下的流量n_B，待气体B稳定后，记录气体B的真空压力计压强为P_B；d）记录气体流量比为Q=P_A/P_B；e）选择标准机台，在标准机台上通过上述步骤测得标准机台的两种气体的压强比值为标准Q值，记录为Q_标准；f）如果某一机台的折射率出现偏差，就将它的Q值修正为Q_标准。通过该方法，克服了现有技术中PECVD流量计测量偏差较大，工艺的每层折射率不能精确控制的缺点。

技术领域

本发明涉及一种流量计的标定方法，具体地涉及一种质量流量计的标定方法，更具体地涉及一种管式等离子体增强化学气相沉积（PECVD）流量计的标定方法。

背景技术

在晶硅太阳能电池生产中，镀减反射膜是一步重要的工序，目前最广泛的一种方式是通过硅烷和氨气在管式等离子体增强化学气相沉积机台上来沉积氮化硅膜。膜厚和折射率是衡量氮化硅膜性能的两个重要指标，这两个指标关系到太阳能电池的效率和外观以及抗电势诱导衰减（PID）性能。

目前，沉积氮化硅膜时，硅烷和氨气的流量是通过两个不同的质量流量计来分别控制的，即，通过硅烷流量计和氨气流量计来分别设定。产业化中，流量计的值即被当作硅烷和氨气的真实值，用硅烷和氨气的真实值的比值变化来控制折射率。硅烷和氨气的比例直接影响了氮化硅膜的折射率这一性能指标。由于流量计的偏差，造成各机台沉积的氮化硅膜的折射率差异较大。

通常，使用的硅烷流量计和氨气流量计均为质量流量计，质量流量计的精度较低，显示的流量往往和实际通入流量有所偏差。并且，随着设定流量的增大，这种偏差也逐渐增大。在实际生产过程中，每一台机器的流量计也有所不同，因此造成了不同机台生产电池片的折射率的差异。现有技术利用提升氮化硅折射率的方法未能实验抗PID的稳定性，其原因就是由于现有技术的管式PECVD流量计偏差较大，工艺的每层折射率并不能精确控制。

发明内容

本发明的目的是提供一种管式等离子体增强化学气相沉积流量计的标定方法，通过该标定方法，克服了现有技术中PECVD流量计测量偏差较大，工艺的每层折射率并不能精确控制的缺点。

本发明的技术方案是一种质量流量计的标定方法，包括以下步骤：

a）打开机台的主抽，在蝶阀满开的情况下，设定气体A的质量流量计值为标准工艺参数下的流量n_A。

b）待气体稳定后，记录测量气体A的真空压力计的压强P_A。

c）然后，关闭气体A的质量流量计，用同样的方法设定气体B的质量流量计为标准工艺参数下的流量n_B，待气体B稳定后，记录气体B的真空压力计压强为P_B。

d）记录气体流量比为Q = P_A/P_B。

e）选择标准机台，在所述标准机台上通过上述步骤测得所述标准机台的两种气体的压强比值为标准Q值，记录为Q_标准。

f）如果某一个机台的折射率出现偏差，就将它的Q值修正为Q_标准。

进一步地，所述标定方法还包括以下步骤：

g）在折射率出现偏差的机台上固定气体B的流量，通过步骤c）测试出P_B。