[发明专利]小电荷转换灵敏度CCD输出结构在审
| 申请号： | 201510721416.7 | 申请日： | 2015-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105244361A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 王小东;汪朝敏;黄建 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01L27/148 | 分类号： | H01L27/148;H01L27/02 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 侯懋琪;侯春乐 |
| 地址： | 400060 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电荷 转换 灵敏度 ccd 输出 结构 | ||
1.一种小电荷转换灵敏度CCD输出结构，包括：由沟道（1）和水平转移栅（1-1）所形成的信号转移区（1-2）、与信号转移区（1-2）相连的输出结构、与输出结构相连的放大器；所述输出结构由输出栅（2）、输出节点（3）、复位漏（4）和复位栅（5）组成；所述信号转移区（1-2）的右端与输出节点（3）的左端相连接，输出节点（3）的右端与复位漏（4）相连，输出节点（3）通过金属引线与放大器相连；输出栅（2）设置在信号转移区（1-2）和输出节点（3）的交界位置处，复位栅（5）设置在输出节点（3）和复位漏（4）的交界位置处；
其特征在于：电荷信号在信号转移区（1-2）上从左至右传输，将电荷信号的传输方向定义为信号转移区（1-2）的纵向，信号转移区（1-2）上与所述纵向垂直的方向定义为横向；所述信号转移区（1-2）纵向上各个位置处的横向宽度相同，所述输出节点（3）左段的横向宽度与信号转移区（1-2）的横向宽度相同，输出节点（3）右段的横向宽度逐渐收窄为与复位漏（4）匹配的尺寸。
2.根据权利要求1所述的小电荷转换灵敏度CCD输出结构，其特征在于：所述放大器中，与输出节点（3）直接相连的第一级放大器MOS管（6）的尺寸为20μm×150μm。
3.根据权利要求1所述的小电荷转换灵敏度CCD输出结构，其特征在于：所述输出节点（3）上最大横向宽度位置处的尺寸大于或等于100μm，所述输出节点（3）的纵向长度大于或等于20μm。
4.根据权利要求1所述的小电荷转换灵敏度CCD输出结构，其特征在于：所述输出结构能将1.0E+07e-量级的CCD满阱电子信号转换成为1.0~3.0V的输出电压，转换灵敏度为0.1~0.3μV/e-。
5.根据权利要求1所述的小电荷转换灵敏度CCD输出结构，其特征在于：所述输出节点（3）和复位漏（4）周向上的裸露边沿设置有沟阻（7）。
6.根据权利要求1所述的小电荷转换灵敏度CCD输出结构，其特征在于：所述输出节点（3）采用非super-notch结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
