[发明专利]可提高红光量子效率的CMOS图像传感器及其集成工艺

权利要求书

1.一种可提高红光量子效率的CMOS图像传感器，其特征在于，所述CMOS图像传感器为背照式，包括位于硅基底中的光电二极管、浮动扩散极，以及位于基底上方的传输栅、接触孔层和金属互连层，在光电二极管的上方、间距光电二极管水平设有金属反光层，以对由光电二极管下方入射并穿透的部分红光进行反射，并被光电二极管二次吸收。

2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述金属反光层与金属互连层同层设置。

3.根据权利要求1或2所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述金属反光层在光电二极管上方水平设置一至若干层。

4.根据权利要求1或2所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述金属反光层与金属互连层采用同种金属制作形成。

5.一种可提高红光量子效率的CMOS图像传感器集成工艺，其特征在于，包括：

步骤S01：提供一硅基底，在所述基底中形成光电二极管，并形成其外围的CMOS管；

步骤S02：在所述基底上沉积第一层间电介质层并图形化，形成接触孔层；

步骤S03：沉积第二层间电介质层并图形化，形成第一金属互连层和位于光电二极管上方的金属反光层。

6.根据权利要求5所述的CMOS图像传感器集成工艺，其特征在于，步骤S01包括：在P型的硅基底中，形成浅沟槽隔离；通过多道离子注入工艺形成由深及浅的光电二极管PN结，并通过多道离子注入工艺形成由深及浅的光电二极管侧面P+阱隔离，以及在硅基底表面注入P+层，将硅表面与光电二极管隔离；形成光电二极管所必需的外围CMOS管，包括在硅基底中形成N+浮动扩散极、在硅基底上形成传输栅。

7.根据权利要求5所述的CMOS图像传感器集成工艺，其特征在于，步骤S02包括：在所述基底上沉积第一层间电介质层，并通过化学机械抛光进行平坦化处理；刻蚀出接触孔，并在接触孔中填充金属阻挡层和导电金属，最后再进行化学机械抛光平坦化处理。

8.根据权利要求5所述的CMOS图像传感器集成工艺，其特征在于，步骤S03包括：在第一层间电介质层上依次沉积刻蚀截止层和第二层间电介质层，并通过化学机械抛光进行平坦化处理；刻蚀出第一金属互连层和金属反光层图形沟槽，并填充金属阻挡层和导电金属，最后再进行化学机械抛光平坦化处理。

9.根据权利要求5或8所述的CMOS图像传感器集成工艺，其特征在于，步骤S03后包括：

步骤S04：在第一金属互连层和金属反光层之上，继续形成后段的金属互连层。

10.根据权利要求9所述的CMOS图像传感器集成工艺，其特征在于，步骤S04包括：在金属反光层之上，分别形成与对应的若干后段金属互连层同层的金属反光层，其层数为一至多层。